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检索条件"主题词=Thin film photovoltaics"

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Impact of Growth and Hydrogenation Temperature on the Voltage of ALICIA thin-film Silicon Solar Cells on Glass

Impact of Growth and Hydrogenation Temperature on the Voltag...

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第十五届国际光伏科学与工程大会

作者： Daniel Inns Axel Straub Mason Terry Yidan Huang Armin G.Aberle Centre for Photovoltaic Engineering University of New South Wales UNSW Sydney NSW 2052 Australia

Si epitaxy for fabricating solar cells on glass is a challenging field, due to the temperature restrictions placed on the process by the glass substrate. High-temperature silicon epitaxy (above 900℃) is simpler as any oxide on the growth surface de-sorbs at these temperatures, and the thermal energy gives high-quality crystal growth. During epitaxy at temperatures below 700℃, the limited thermal energy makes growth more difficult, and is complicated by rapid oxide formation. Heating experiments have been performed to obtain optimal growth with minimal oxide contamination of the silicon seed layer. The low-temperature growth still results in many defects. Atomic hydrogen effectively passivates many of the defects, which greatly improves the electronic quality of the material. The higher the hydrogen passivation temperature used, the better the open-circuit voltage of the solar cell.

关键词： Epitaxy Hydrogen passivation thin film photovoltaics

来源： cnki会议评论

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