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Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs

Journal of Semiconductors 2011年第10期32卷 17-21页

作者：纪攀峰刘乃鑫魏学成刘喆路红喜王军喜李晋闽 Semiconductor Lighting R&D Center Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

The influence of the growth temperature,tmin/tega andⅤ/Ⅲratio on the V-defects of InGaN/GaN multi-quantum wells（MQWs） has been investigated and *** the tmin flow increases from 180 to 200 sccm,the density of V-defects increases from 2.72×10^（18） to 5.24×10^（18） cm^（-2）,and the V-defect width and depth increase *** density also increases with the growth *** densities are 2.05×10~8,2.72×10^（18） and 4.23×10~8 cm^（-2）,corresponding to a growth temperature of 748,753 and 758℃*** the NH_3 flows are 5000,6600 and 8000 sccm,the densities of the V-defects of these samples are 6.34×10^（18）,2.72×10^（18） and 4.13×10^（18） cm^（-2）,respectively.A properⅤ/Ⅲratio is needed to achieve step flow growth *** get the best quality of InGaN/GaN MQWs at a growth temperature of 753℃tmin flow at 180 sccm,NH_3 flow at 6600 sccm,a flatter surface and less V-defects *** depths of these V-defects are from 10 to 30 nm,and the widths are from 100 to 200 *** order to suppress the influence of V-defects on reverse current and electro-static discharge of LEDs,it is essential to grow thicker p-GaN to fill the V-defects.

关键词： V-defect density width depth tmin/tega NH_3 temperature

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