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Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector

Chinese Physics B 2018年第4期27卷 363-368页

作者： Jin-Lun Li Shao-Hui Cui Jian-Xing Xu Xiao-Ran Cui Chun-Yan Guo Ben Ma Hai-Qiao Ni Zhi-Chuan Niu Department of Missile Engineering Shijiazhuang Campus Army Engineering University Shijiazhuang 050003 China State Key Laboratory for Superlattices Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences （CAS） Beijing 100083 China College of Materials Science and Opto-Electronic Technology University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049 China Microsystem ＆ Terahertz Research Center China Academy of Engineering Physics Chengdu 610200 China Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory Xidian University Xi＇an 710071 China Key Laboratory of Ultra-fast Photoelectric Diagnostics Technology of Chinese Academy of Sciences Xi＇ an Institute of Optics and Precision Mechanics Xi＇ an 710119 China

The samples of InxGa（1-x）As/In（0.52）Al（0.48）As two-dimensional electron gas（2DEG）are grown by molecular beam epitaxy（MBE）.In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are *** samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 *** InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm^2/V·s（300 K）and42040 cm^2/V·s（77 K）are obtained,and the values of carrier concentration（Nc）are 3.465×10^12/cm^2 and 2.502×10^12/cm^2,*** thz response rates of In P-based high electron mobility transistor（HEMT）structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability *** results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT thz detectors.

关键词： thz detector high electron mobility transistor two-dimensional electron gas InP

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