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纳米复合薄膜特异电容机制探讨(英文)

稀有金属材料与工程 2006年第11期35卷 1681-1685页

作者：程开甲程漱玉林东升肖刚西北核技术研究所陕西西安710024

tfdc(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electrontheory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性。根据tfdc电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制。

关键词： tfdc电子理论二极层大电容薄膜

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Ni/Zn扩散溶解层的初步研究

中国石油大学学报（自然科学版） 2007年第1期31卷 104-107页

作者：宋玉强李世春中国石油大学机电工程学院山东东营257061

采用粉末烧结方法,利用光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射和能谱技术,研究了Ni-Zn体系固相烧结时粉末界面处形成的扩散溶解层的微观形貌和相结构,并利用tfdc电子理论讨论了扩散溶解层的形成机理。研究表明,Ni粉和Zn粉在200℃,15h... 详细信息

采用粉末烧结方法,利用光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射和能谱技术,研究了Ni-Zn体系固相烧结时粉末界面处形成的扩散溶解层的微观形貌和相结构,并利用tfdc电子理论讨论了扩散溶解层的形成机理。研究表明,Ni粉和Zn粉在200℃,15h的烧结过程中,Zn原子不断扩散进入到Ni晶体中,在Ni粉颗粒基体上形成了由NiZn和Ni3Zn22金属间化合物构成的“带状”扩散溶解层。

关键词： Ni-Zn 烧结金属间化合物 tfdc电子理论扩散连接

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Cu粉和Sn粉相界面扩散溶解层的研究

稀有金属材料与工程 2007年第A3期36卷 217-221页

作者：宋玉强李世春中国石油大学(华东)机电学院材料系山东东营257061

采用粉末烧结的方法制备出了Cu/Sn扩散溶解层;利用光学和电子显微镜观察了该扩散溶解层的形貌,用X射线衍射和能谱技术分析了该扩散溶解层的相组成;依据tfdc电子理论对Cu/Sn扩散溶解层的结构进行了讨论。研究发现,Cu粉和Sn粉在200℃,10h... 详细信息

采用粉末烧结的方法制备出了Cu/Sn扩散溶解层;利用光学和电子显微镜观察了该扩散溶解层的形貌,用X射线衍射和能谱技术分析了该扩散溶解层的相组成;依据tfdc电子理论对Cu/Sn扩散溶解层的结构进行了讨论。研究发现,Cu粉和Sn粉在200℃,10h的烧结过程中,Sn原子不断扩散进入到Cu晶体中,在Cu粉和Sn粉颗粒界面处,先后依次形成一定厚度的Cu_6Sn_5、Cu_(81)Sn_(22)、Cu_(39)Sn_(11)和Cu_(327.92)Sn_(88.08)金属间化合物扩散溶解层,该扩散溶解层的结构为Cu相、界面Cu/Cu_(327.92)Sn_(88.08)、Cu_(327.92)Sn_(88.08)相、界面Cu_(327.92)Sn_(88.08)/Cu_(39)Sn_(11)、Cu_(39)Sn_(11)相、界面Cu_(39)Sn_(11)/Cu_(81)Sn_(22)、Cu_(81)Sn_(22)相、界面Cu_(81)Sn_(22)/Cu_6Sn_5、Cu_6Sn_5相、界面Cu_6Sn_5/Sn;4种金属间化合物相呈"层"状分布。

关键词： Cu—Sn 烧结界面扩散金属间化合物 tfdc电子理论

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Mg粉和Zn粉烧结形成金属间化合物的研究

稀有金属 2006年第Z2期30卷 12-15页

作者：宋玉强李世春中国石油大学(华东)机电学院材料系山东东营257061

采用粉末烧结的方法制备Mg-Zn烧结体,利用光学和电子显微镜观察了Mg粉和Zn粉扩散反应区域的形貌,X射线衍射和能谱技术分析了该扩散反应区域的相组成;依据tfdc电子理论对扩散反应区域中金属间化合物的形成机制进行了讨论。研究发现,Mg粉... 详细信息

采用粉末烧结的方法制备Mg-Zn烧结体,利用光学和电子显微镜观察了Mg粉和Zn粉扩散反应区域的形貌,X射线衍射和能谱技术分析了该扩散反应区域的相组成;依据tfdc电子理论对扩散反应区域中金属间化合物的形成机制进行了讨论。研究发现,Mg粉和Zn粉在200℃,30 h的烧结过程中,Zn原子不断扩散进入到Mg晶体中,在Mg粉和Zn粉颗粒界面处,先后依次形成MgZn,MgZn2和Mg7Zn33种金属间化合物。

关键词： Mg-Zn 烧结扩散金属间化合物 tfdc电子理论

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程开甲:半生埋名,为国铸盾

放射学实践 2023年第4期38卷 F0002-F0002,F0003页

作者：熊杏林兰宁远宗兆盾崔蕤(整理) 不详

程开甲(1918年8月-2018年11月),物理学家,中国科学院院士。中国核武器研究的开创者之一,在核武器的研制和试验中做出突出贡献。开创、规划领导了抗辐射加固技术新领域研究,是我国定向能高功率微波研究新领域的开创者之一。出版了我国第... 详细信息

程开甲(1918年8月-2018年11月),物理学家,中国科学院院士。中国核武器研究的开创者之一,在核武器的研制和试验中做出突出贡献。开创、规划领导了抗辐射加固技术新领域研究,是我国定向能高功率微波研究新领域的开创者之一。出版了我国第一本固体物理学专著,提出了普遍的热力学内耗理论,导出了狄拉克方程,提出并发展了超导电双带理论和凝聚态tfdc电子理论。1985年获国家科技进步奖特等奖,1999年被授予“两弹一星”功勋奖章。2013年获国家最高科学技术奖。

关键词：中国科学院院士国家科技进步奖 tfdc电子理论狄拉克方程国家最高科学技术奖超导电程开甲两弹一星

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铬膜制备及其膜内残余应力研究

热加工工艺 2010年第8期39卷 130-133页

作者：张伟任凤章马战红苏娟华河南科技大学材料科学与工程学院河南洛阳471003 河南省有色金属材料科学与加工技术重点实验室河南洛阳471003

对六价镀铬的工艺进行研究,在45℃、电流密度为15A·dm-2时电沉积出光亮平整、无缺陷的铬膜。在此基础上在纯铁基体上电沉积制备出一系列不同厚度的铬薄膜,并对其残余应力进行测量和研究。结果表明:Cr膜的平均残余应力和分布残余应力均... 详细信息

对六价镀铬的工艺进行研究,在45℃、电流密度为15A·dm-2时电沉积出光亮平整、无缺陷的铬膜。在此基础上在纯铁基体上电沉积制备出一系列不同厚度的铬薄膜,并对其残余应力进行测量和研究。结果表明:Cr膜的平均残余应力和分布残余应力均为拉应力,由于Cr膜在较薄时残余应力的骤降,可判断出其残余应力主要来自于Cr膜的界面应力,与基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng(tfdc)电子理论的判断结果相一致。

关键词：镀铬铬膜残余应力 tfdc电子理论

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纳米管形成与内应力

自然科学进展 2003年第1期13卷 95-98页

作者：程开甲程漱玉西北核技术研究所西安710024

依据tfdc(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的内应力机理预测和阐述了几个重要的实验现象:镀在基底上的膜层中具有很大的内应力;将基底腐蚀掉后,所镀的纳米级复合膜层可以卷曲形成纳米管;在基底上注入电子密度不同的材料可改变膜中的... 详细信息

依据tfdc(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的内应力机理预测和阐述了几个重要的实验现象:镀在基底上的膜层中具有很大的内应力;将基底腐蚀掉后,所镀的纳米级复合膜层可以卷曲形成纳米管;在基底上注入电子密度不同的材料可改变膜中的内应力。

关键词：纳米材料纳米管 tfdc电子理论内应力机理纳米级复合膜卷曲成形

基于tfdc理论薄膜的制备及其残余应力的研究

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基于TFDC理论薄膜的制备及其残余应力的研究

作者：张伟河南科技大学

学位级别：硕士

进入21世纪以来,由于薄膜材料、电沉积薄膜技术和表面物理技术相互结合和推进,不仅促进了薄膜科学与技术的迅速发展,而且也推动了薄膜产品的开发和应用。在导电基片上电沉积异质金属薄膜,常常会处于应变(受力)状态,薄膜中的残余应力对... 详细信息

进入21世纪以来,由于薄膜材料、电沉积薄膜技术和表面物理技术相互结合和推进,不仅促进了薄膜科学与技术的迅速发展,而且也推动了薄膜产品的开发和应用。在导电基片上电沉积异质金属薄膜,常常会处于应变(受力)状态,薄膜中的残余应力对薄膜器件的稳定性,使用性能和可靠性有很大影响,残余应力产生机制及定量计算一直是人们研究的热点。本文优化了电沉积单层Cu、Ni和Cr薄膜的工艺;并在不同基体材料上电沉积一系列不同厚度的Cu、Ni和Cr薄膜;利用自行设计的在线测量系统测定了不同基体上Cu、Ni和Cr单层薄膜的弯曲挠度,计算了薄膜的平均和分布残余应力,并基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng (tfdc)理论分析其产生机制,以验证tfdc电子理论;采用双槽法制备一系列不同调制波长的Cu/Ni多层膜,对其进行了组织形貌观察和硬度测试。研究结果表明:室温下,当电流密度为0.8 1 A·dm时,电沉积Cu薄膜光亮平整,比较合适;当电流密度为0.6 1.2 A·dm时,电沉积Ni薄膜的表观状况都比较光亮、平整,仅仅存在电沉积速率的不同,基本上电沉积速率与电流密度成正相关的关系,当电流密度为1 A·dm时,电沉积速率的平均值为2.509 nm·s-1适合本实验操作;温度为45°C、电流密度15 A·dm下的Cr薄膜光亮平整、质地均匀,此时电沉积速率平均值为4.01 nm·s-1。 Ni薄膜的残余应力在各种不同基体材料上均表现为拉应力,Cu薄膜在碳素钢、工业纯铁上为拉应力,但在纯Ni基体上为压应力、Cr薄膜在工业纯铁基体上为拉应力;当薄膜厚度较小时,膜的平均残余应力和分布残余应力都随膜厚的增加急剧变化,随着膜厚的进一步增加两种残余应力都趋于稳定,这说明残余应力中的界面应力的存在;不同基体材料电沉积不同材料的薄膜其残余应力也不同,即残余应力与基体材料和薄膜材料都有很大的关系;不同基体上Cu、Cr和Ni薄膜在较薄时残余应力的剧变可以判断出其残余应力主要来自于其界面应力,这些都与tfdc电子理论的判断结果相一致。使用双槽法电沉积制备的Cu/Ni多层膜并分析其组织和硬度,其结果对多层膜的制备尤其制备更薄的纳米级多层膜及相关的力学性能的研究和理论计算具有重大的实际意义。

关键词： tfdc电子理论薄膜残余应力电沉积 Cu/Ni多层膜

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Cu-Ni扩散反应层形成的tfdc模型

机械制造文摘（焊接分册） 2017年第3期 1-5页

作者：宋玉强张振亚李敏中国石油大学(华东)机电工程学院山东青岛266580

tfdc(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的核心思想是"材料研究中,界面边界条件起着十分重要的作用,其边界条件是电子密度处处连续"。建立Cu/Ni相界面扩散反应的tfdc模型对于扩散连接工艺中相界面扩散反应的研究具有重要的意义。文中以... 详细信息

tfdc(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论的核心思想是"材料研究中,界面边界条件起着十分重要的作用,其边界条件是电子密度处处连续"。建立Cu/Ni相界面扩散反应的tfdc模型对于扩散连接工艺中相界面扩散反应的研究具有重要的意义。文中以Cu-Ni相界面为例,首先依据tfdc电子理论、利用其电子密度处处连续的边界条件,论述了Cu/Ni相界面扩散反应层的形成和生长,然后建立了Cu/Ni相界面扩散反应的tfdc模型。扩散反应层的形成和长大是各相层界面电子密度连续的结果,二元金属扩散反应层的研究可以借助于tfdc电子理论进行深入研究。

关键词：金属物理学扩散连接 tfdc电子理论扩散反应层 Cu-Ni tfdc模型界面