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基于AMC2C6670的TD-lte物理层调度及接口实现

基于AMC2C6670的TD-LTE物理层调度及接口实现

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作者：陈晓电子科技大学

学位级别：硕士

lte是继第三代移动通信之后的新一代主流移动宽带通信标准,其包含tdd和FDD两种制式。lte系统以正交频分复用和多输入多输出技术为基础,数据采取分组传输,在20MHz带宽内理论可以实现100Mbit/s的下行峰值速率和50Mbit/s的上行峰值速率。... 详细信息

lte是继第三代移动通信之后的新一代主流移动宽带通信标准,其包含tdd和FDD两种制式。lte系统以正交频分复用和多输入多输出技术为基础,数据采取分组传输,在20MHz带宽内理论可以实现100Mbit/s的下行峰值速率和50Mbit/s的上行峰值速率。与3G通信系统相比,lte通信系统在算法复杂度和传输性能上有一个数量级的增加,仅依靠单个处理器通常无法满足高速实时处理大数据量的应用需求,多处理器的分布式并行处理成为提高系统性能的有效解决途径,如何为系统中诸多的处理单元、控制单元提供一种高效率、高带宽、高灵活性的互连架构,成为lte通信系统设计中颇具挑战性的难题。tdd-lte测试系统系统主要包含主控板、基带板AMC2C6670、射频板,其中,基带物理层处理在基带板AMC2C6670上完成,tdd-lte系统工作时,每1ms都需要在基带板DSP与主控板间、基带板DSP与基带板FPGA间传输大量数据。本文基于tdd-lte测试系统的基带物理层处理要求,设计了以TI公司的TMS320C6670为核心的串行RapidIO互连方案,来解决处理器互连遇到的瓶颈问题。测试结果验证了该互连方案的可行性和可靠性,当采用4×、5Gbps配置时,以发送256KB数据量为例,即使选取DDR3作为收、发端的存储器地址,也能实现10Gbps以上的传输速度,因此,串行RapidIO互连方案适用tdd-lte等新型的无线基站系统。论文分三部分展开,首先介绍了串行Rapid IO的基础理论,研究分析了tdd-lte测试系统的数据接口需求,抽象出系统初期简化的SRIO测试原理图并给出SRIO电路模块的软件设计框图;随后针对TMDXEVM6670L评估板平台进行SRIO模式选型测试,从外围电路、数据量、存储介质等方面研究分析Rapid IO链路性能,最终确定将NWrite或SWrite作为tdd-lte测试系统的传输模式;最后基于基带板AMC2C6670完成SRIO链路设计、实现及性能验证测试,测试包括:DSP与主控板间的连通性、DSP与FPGA间的连通性、NWrite传输差错率、NWrite传输速率等,论文从连通性和可靠性两方面去探究接口链路,表明串行Rapid IO能够满足tdd-lte测试系统的接口要求。

关键词：串行Rapid IO TMS320C6670 基带板AMC2C6670 tdd-lte测试系统

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