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  • 3 篇 期刊文献

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  • 3 篇 工学
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    • 1 篇 材料科学与工程（可...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 3 篇 tcad数值模拟
  • 2 篇 sige bicmos工艺
  • 2 篇 单粒子效应
  • 2 篇 ads电路模拟
  • 2 篇 低噪声放大器
  • 2 篇 激光模拟实验
  • 1 篇 h^+输运机制
  • 1 篇 空穴输运机制
  • 1 篇 电离辐射效应

机构

  • 3 篇 西安交通大学
  • 1 篇 西北核技术研究院...
  • 1 篇 西北核技术研究所
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 西北核技术研究院

作者

  • 3 篇 贺朝会
  • 3 篇 郭红霞
  • 3 篇 李培
  • 2 篇 张凤祁
  • 2 篇 郭亚鑫
  • 2 篇 董志勇
  • 2 篇 彭治钢
  • 1 篇 张晋新
  • 1 篇 李永宏

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=TCAD数值模拟"
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SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究
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物理学报 2024年 第4期73卷 200-208页
作者： 李培 董志勇 郭红霞 张凤祁 郭亚鑫 彭治钢 贺朝会 西安交通大学核科学与技术学院 西安710049 西北核技术研究院 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器激光单粒子效应研究
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物理学报 2023年
作者： 李培 董志勇 郭红霞 张凤祁 郭亚鑫 彭治钢 贺朝会 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西安交通大学核科学与技术学院
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高，SiGe BiCMOS低噪声放大器广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块。SiGe HBT作为SiGeBiCMOSLNA的核心器件，天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力，然而... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
空穴、H+在SiO2体内输运的数值模拟研究
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引用
数值计算与计算机应用 2020年 第2期41卷 151-158页
作者： 李培 贺朝会 郭红霞 李永宏 张晋新 西安交通大学 西安710049 西北核技术研究所 西安710024 西安电子科技大学 西安710071
半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电... 详细信息
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