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Numerical study of the sub-threshold slope in t-cnfets

Journal of Semiconductors 2010年第9期31卷 32-36页

作者：周海亮郝跃张民选 School of Computer National University of Defense Technology School of Microelectronics Xidian University

the most attractive merit of tunneling carbon nanotube field effect transistors（t-cnfets） is the ultra-small inverse sub-threshold *** order to obtain as small an average sub-threshold slope as possible,several effective approaches have been proposed based on a numerical insight into the working mechanism of t-cnfets：tuning the doping level of source/drain leads,minimizing the quantum capacitance value via tuning the bias condition or increasing the insulator capacitance,and adopting a staircase doping strategy in the drain ***-equilibrium Green＇s function based simulation results show that all these approaches can contribute to a smaller average inverse sub-threshold slope, which is quite desirable in high-frequency or low-power applications.

关键词： sub-threshold slope t-cnfets quantum capacitance BtBt NEGF

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