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Fermi Level Unpinning and Schottky Barrier Modification by Ti, Sc and V Incorporation at NiSi2/Si Interface

Chinese Physics Letters 2009年第3期26卷 240-243页

作者：耿莉 MAGYARI-KOPE Blanka 张志勇 NISHI Yoshio Department of Microelectronics Xi'an Jiaotong University Xi'an 710049 Department of Electrical Engineering Stanford University Stanford California 94305 USA Department of Chemical Engineering Stanford University Stanford California 94305 USA

A new method is proposed to modify the Schottky barrier height （SBH） for nickel silicide/Si contact. Chemical and electrical properties for NiSi2/Si interface with titanium, scandium and vanadium incorporation are investigated by first-principles calculations. The metal/semiconductor interface states within the gap region are greatly decreased, which is related to the diminutions of junction leakage when Ti-cap is experimentally used in nickel silicide/Si contact process. It leads to an unpinning metal/semiconductor interface. The SBH obeys the Schottky-Mort theory. Compared to Ti substitution, the SBH for electrons is reduced for scandium and increases for vanadium.

关键词： METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES NISI/SI JUNCTION HEIGHT LAYER SEGREGATION IMPROVEMENT TECHNOLOGY LEAKAGE Schottky barriers subcortical band heterotopia Vanadium height Metal-semiconductor interfaces Rare earths Technology Scandium junction leakage

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