检索结果-南通市图书馆

silicon vacancy color centers in 6H-SiC Fabricated by Femtosecond Laser Direct Writing

Nanomanufacturing and Metrology 2023年第1期6卷 69-78页

作者： Zhanqi Zhou Zongwei Xu Ying Song Changkun Shi Kun Zhang Bing Dong State Key Laboratory of Precision Measuring Technology and Instruments Laboratory of Micro/Nano Manufacturing TechnologyTianjin UniversityTianjin 300072China

As a single photon source,silicon vacancy(V_(Si))centers in wide bandgap semiconductor silicon carbide(SiC)are expected to be used in quantum technology as spin qubits to participate in quantum sensing and quantum ***,the new direct femtosecond(fs)laser writing technology has been successfully applied to preparing V_(Si)s in *** this study,6H-SiC,which has been less studied,was used as the processed material.V_(Si) center arrays were formed on the 6H-SiC surface using a 1030-nm-wavelength fs pulsed *** surface was characterized by white light microscopy,atomic force microscopy,and confocal photoluminescence(PL)/Raman *** effect of fs laser energy,vector polarization,pulse number,and repetition rate on 6H-SiC V_(Si) defect preparation was analyzed by measuring the V_(Si) PL signal at 785-nm laser *** results show that fs laser energy and pulse number greatly influence the preparation of the color center,which plays a key role in optimizing the yield of V_(Si)s prepared by fs laser nanomachining.

关键词： silicon carbide silicon vacancy color center Femtosecond laser writing Confocal photoluminescence/Raman spectroscopy

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