检索结果-南通市图书馆

Boosted high-temperature electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with rationally designed compositionally graded AlGaN back barriers

引用

Science China(Information Sciences) 2023年第8期66卷 254-262页

作者： Haochen ZHANG Yue SUN Kunpeng HU Lei YANG Kun LIANG Zhanyong xING Hu WANG Mingshuo ZHANG Huabin YU Shi FANG Yang KANG Haiding SUN School of Microelectronics University of Science and Technology of China

Wide bandgap GaN-based HEMTs have shown great potential as key components in various power electronic systems but still face challenges in the pursuit of devices with stable operation capability especially in harsh environments. Here, we report a high-performance double heterojunction(DH) based Al Ga N/Ga N HEMT by incorporating a decreasing-Al-composition(DAC) graded Al Ga N back barrier(BB)beneath the Ga N channel. Thanks to the improved electron confinement enabled by graded BB, the DHHEMT exhibits significantly improved on-state drain current density and off-state breakdown voltage compared with a single heterojunction(SH) based HEMT. More intriguingly, with an additional Si Nx passivation layer, the surface states of the DH-HEMTs can be effectively suppressed, leading to an almost constant offstate leakage current and negligible gate contact degradation across the temperature range from 25℃ to 150℃. These results highlight the superiority and reliability of the proposed graded AlGaN BB to boost device characteristics for applications under high temperatures and harsh conditions.

关键词： AlGaN/GaN HEMT graded AlGaN back barrier sin$_x$ passivation DHHEMT high temperature stability

来源：

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：