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AN SCF-XαSW STUDY OF BH4-, CH4,NH4+, AlH4-, sih4, PH4+ AND GeH4

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Science China Chemistry 1984年第8期27卷 769-777页

作者：张明瑜于微舟江元生唐敖庆 Jilin University Changchun Institute of Theoretical Chemistry

Through the optimization of sphere radii ratios, seven tetrahedral hydrides species withequal valence electrons are investigated by means of SCF-XSW method in muffin-tin ap-proximation scheme. In comparison with those published results, the calculated total statis-tical energies and the corresponding binding energies of neutral molecules concerned have beenmuch better improved, which offers reasonable interpretation of their bonding stabilities, no-tably for sihand GeH. For ionic species, attention is focused on the role of Watson sphere,thus two kinds of calculation with and withcut Watson sphere are simultaneously given for com-parison. It reveals that free ions always behave more unstably and Watson sphere seems tobe a suitable model for describing the environment of a stabilized ion. The calculated bind-ing energies of ions have been utilized to correlate the thermostability trend for a few crystalcompounds. Also, an empirical linear relationship between optimized sphere radii ratios andelee

关键词： Re NH sih4 AN SCF-X AND GeH4 AlH4 PH4 SW STUDY OF BH4 AIH SCF

sih4与HX(X=F，Cl，Br，I)形成的二氢键复合物的结构特性及本质

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化学学报 2008年第3期66卷 301-307页

作者：刘红陈燕芹王一波贵州省毕节学院化学系毕节551700 贵州省高性能计算化学重点实验室贵阳550025

对sih4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311++G(3d,3p)水平优化、频率验证得到复合物的分子结构,通过分子间距离及电子密度等值线图,确认sih4与卤化氢已形成了二氢键复合物.MP2/6-311++G(3d,3p)水平下进行BSS... 详细信息

对sih4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311++G(3d,3p)水平优化、频率验证得到复合物的分子结构,通过分子间距离及电子密度等值线图,确认sih4与卤化氢已形成了二氢键复合物.MP2/6-311++G(3d,3p)水平下进行BSSE校正后的结合能为2.703～4.439kJ/mol.用对称匹配微扰理论对结合能进行分解,分解结果显示,sih4…HX(X=F,Cl,Br,I)二氢键复合物中静电能对总吸引能的贡献小于28%,并且相对稳定,这就是说sih4…HX二氢键复合物的本质并非静电作用,而是静电能、诱导能、色散能、交换能对总结合能的贡献都非常重要.

关键词：二氢键对称性匹配微扰理论 sih4 卤化氢本质

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sih4分子的单脉冲激光光声光谱

量子电子学报 1990年第1期 14-15页

作者：张贵银张连水韩理傅广生张开锡河北大学物理系

用激光或放电技术在硅烷气体中产生等离子体,制取满足各种不同要求的硅薄膜,是近几年受到广泛重视的研究课题。无疑,研究等离子体过程对弄清硅膜生长机理、表面反应过程及控制实验条件,以进一步提高膜的质量有重要意义。用光学发射光谱... 详细信息

用激光或放电技术在硅烷气体中产生等离子体,制取满足各种不同要求的硅薄膜,是近几年受到广泛重视的研究课题。无疑,研究等离子体过程对弄清硅膜生长机理、表面反应过程及控制实验条件,以进一步提高膜的质量有重要意义。用光学发射光谱(OES)、光声激光偏转、激光诱导荧光等技术,我们已经研究了sih激光等离子体中产生Si、sih、sih及H等自由基的微观和宏观动力学过程,但在质谱中观测到的重要的自由基种类sih用上述方

关键词： sih 光声光谱激光能量 sih4 反应室光声信号分子

sih4—N2H4—H2体系热解淀积氮化硅薄膜的制备、性质和应用

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微电子学与计算机 1974年第2期 45-53页

作者：管绍茂

一、引言氮化硅薄膜具有高的电阻率、击穿强度、化学惰性等优良性能,这些性能应用在半导体器件中是很有利的。在前一阶段我们已报导了sih4—NH3—H2体系热解淀积氮化硅薄膜的制备、性质和应用[1]。曾试用在4S11等大功率硅台面管上,作为P... 详细信息

一、引言氮化硅薄膜具有高的电阻率、击穿强度、化学惰性等优良性能,这些性能应用在半导体器件中是很有利的。在前一阶段我们已报导了sih4—NH3—H2体系热解淀积氮化硅薄膜的制备、性质和应用[1]。曾试用在4S11等大功率硅台面管上,作为P—N结钝化层,提高了管子的BVCEO和IDO,并提高了器件的可靠性和成品率。用氨气所制得的氮化硅薄膜,要以二氧化硅作掩膜,先刻氧化硅,后用磷酸腐蚀氮化硅,比较麻烦,没有特殊要求一般不愿意采用。为了推广氮化硅的应用,必须简化光刻工艺,制取可以用

关键词：氮化硅薄膜联胺 N2H4 sih4 H2 淀积热解

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在CWCO2激光作用下sih4的分解

光学学报 1983年第2期 182-187页

作者：吴振球,刘洪庆,徐积仁河北大学物理系河北省计量所中国科学院物理所

研究了低浓度sih4在CW CO2激光作用下的分解,对分解机理进行了分析.理论结果与实验较好地符合.

关键词：激光作用分解速度 CWCO2 sih4 激光功率密度大分子 sih

sih4在Cu(111)的X射线吸收近边精细结构研究

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SiH4在Cu(111)的X射线吸收近边精细结构研究

应用回归分析改善A面板工厂sih4日常供应管理

华东三省一市第三届真空学术交流会

作者：何江平唐景昌浙江杭州浙江大学物理系硅材料国家重点实验室

运用Si的Is NEXAFS实验谱对sih在Cu(Ⅲ)面的低温吸附及分解进行了系统的理论研究。通过MSC(多重散射团簇)理论计算分析表明,在11OK时,sih己经开始在Cu表面分解为sih,分解产物吸附在Cu(Ⅲ)面的fcc三度空位上。

关键词： sih4 X射线低温吸附分解产物精细结构

来源： cnki会议评论

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价值工程 2020年第24期39卷 79-84页

作者：姜昌日乐金显示光电科技(中国)有限公司

作为危险化学品的sih4在液晶面板制造中主要用于化学气相沉淀工艺，是重要的原材料之一。为了生产的安全和稳定，甚至控制成本，需要建立该原材料的日常供应控制管理。用SPC控制图管理日常供应量是非常有效的方法，但是日常供应量数据... 详细信息

作为危险化学品的sih4在液晶面板制造中主要用于化学气相沉淀工艺，是重要的原材料之一。为了生产的安全和稳定，甚至控制成本，需要建立该原材料的日常供应控制管理。用SPC控制图管理日常供应量是非常有效的方法，但是日常供应量数据有时出现失效，无法正确地反映日常供应现状。本文通过回归分析，改善每日供应量的计算方法。建立有效的SPC控制图，并且监控每日供应量是否稳定，受控；及时反馈信息。当出现异常时经过正确的分析和合理的措施，实现供应的安全和稳定，甚至控制成本。

关键词：回归分析供应量 sih4 SPC