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作者

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  • 1 篇 江若琏
  • 1 篇 成步文
  • 1 篇 郑有炓
  • 1 篇 臧岚
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  • 1 篇 李代宗
  • 1 篇 杨沁清
  • 1 篇 褚连青
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  • 1 篇 赵雷
  • 1 篇 李垚
  • 1 篇 蔡瑞仁
  • 1 篇 高勇
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  • 1 篇 雷震霖
  • 1 篇 朱顺明
  • 1 篇 余金中

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  • 11 篇 中文
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检索条件"主题词=SiGeC"
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Research on reverse recovery characteristics of sigec p-i-n diodes
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Chinese Physics B 2008年 第12期17卷 4635-4639页
作者： 高勇 刘静 杨媛 Department of Electronic Engineering Xi'an University of Technology
This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of sigec p-i-n diodes. Based on the integrated systems engineering （ISE） data, the critical physical models of sigec diodes are proposed. Based ... 详细信息
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SiGe和sigec HBT速度过冲模型
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微电子学 2007年 第3期37卷 316-319页
作者： 蔡瑞仁 李垚 中国科学技术大学物理系微电子实验室 安徽合肥230026
建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布... 详细信息
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sigec三元合金的研究进展
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微纳电子技术 2004年 第7期41卷 1-9,14页
作者： 赵雷 左玉华 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083
sigec三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能光电器件的制备。本文总结了近年来关于sigec的性能、制备和应用方面的若干研究结果,并对sigec进一步的... 详细信息
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Communicant开发出sigec设计套件
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半导体信息 2003年 第3期 38-39页
作者： 章从福
Communicant半导体公司已开发出基于0.25μm技术的硅锗碳化物(sigec)BiCMOS设计套件。
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德国开发sigec技术
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微电子技术 1999年 第5期27卷 21-21页
作者： 石松
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Communicant开发出sigec设计套件
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信息化研究 2003年 第3期29卷 36-36页
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性
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Journal of Semiconductors 2001年 第1期22卷 52-56页
作者： 于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变... 详细信息
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光通信用的硅基长波长光电探测器
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半导体光电 1999年 第4期20卷 226-230页
作者： 李成 杨沁清 王启明 中科院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083
硅基长波长光电探测器是最有希望与微电子集成的一种用于光通信的光电器件。介绍了当前硅基长波长光电探测器的发展现状和趋势，讨论了提高硅基长波长光电探测器性能的途径。
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采用RTCVD法在（100）Si上生长Si1—x—yGexCy外延层
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电子材料快报 1995年 第12期 6-7页
作者： 褚连青
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元器件与组件
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今日电子 2007年 第12期 119-120页
PPTC电流过载保护器件,晶闸管浪涌保护器件,基于sigec BiCMOS工艺的微波NPN晶体管，可单独控制红色。
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