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A novel approach for justification of box-triangular germanium profile in sige hbts

Journal of Semiconductors 2015年第2期36卷 48-55页

作者： Gagan Khanduri Brishbhan Panwar Centre for Applied Research in Electronics Indian Institute of Technology Delhi

This work presents a unique and robust approach for validation of using the box-triangular germanium profile in the base of sige heterojunction bipolar transistors, where the methodology considers the simultaneous optimization of the p-type base doping profile in conjunction with the germanium profile in the base. The study analyses the electron motion across the sige base in sige hbts, owing to different accelerating electric fields. The analysis first presents a figure of merit, to achieve the minimum electron transit time across the base in conjunction with the increased current gain in n-p-n-sige hbts, which shows a general trend vis-a-vis the advantage of a trapezoid germanium profile, but with additional accuracy as we considered simultaneously optimized p-type base doping. The effect of minority carrier velocity saturation is then included to make the study more detailed. The analysis then investigates the shifted germanium profile in the base to further minimize the base transit time. Finally, it is shown that a shifted germanium profile eventually evolves into a box-triangular Ge-profile in the sige base, which could simultaneously minimize the base transit time and reduce emitter delay by virtue of the high current gain. The analysis verifies that for an average Ge-dose of 7.5% Ge across the base, a box-triangular germanium profile in conjunction with an optimum base doping profile has an approximately identical base transit time and a 30% higher current gain, in comparison with an optimum base doping and triangular Ge-profile across the whole base.

关键词： sige hbts base transit time optimum base doping shifted Ge profile box-triangular germanium profile

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sige HBT的高频噪声相关性模型

SiGe HBT的高频噪声相关性模型

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2007年全国微波毫米波会议

作者：沙永萍张万荣谢红云北京工业大学电控学院

本文对四种现有的考虑了集电极与基极电流散粒噪声之间相关性的sige HBT高频噪声模型:标准噪声模型(UNI)、两种SPICE噪声模型(SPN1,SPN2)以及热力学噪声模型,进行了分析和比较。以一个基于BiCMOS工艺制造的sige HBT为例,测试了它的S参... 详细信息

本文对四种现有的考虑了集电极与基极电流散粒噪声之间相关性的sige HBT高频噪声模型:标准噪声模型(UNI)、两种SPICE噪声模型(SPN1,SPN2)以及热力学噪声模型,进行了分析和比较。以一个基于BiCMOS工艺制造的sige HBT为例,测试了它的S参数和最小噪声指数(NF),并用上述四种模型模拟了该晶体管的最小噪声指数(NF)等噪声参数。将模拟结果与所测结果进行了比较,检验了这四种模型的准确性。从结果对比中,可明显看出其中UNI和SPN2两个模型能在高频时较好地与测试结果相吻合。本文的研究将有助于高频噪声模型的选取和研究。

关键词： sige hbts 高频噪声相关

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