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Influence of reaction gas flows on the properties of sige:h thin film prepared by plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition

引用

Chinese Physics B 2008年第9期17卷 3448-3452页

作者：张丽平张建军尚泽仁胡增鑫耿新华赵颖 Institute of Photo-Electronics thin film Devices and Technique Nankai UniversityTianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology Laboratory of Opto-electronic Information Science and Technology (Nankai UniversityTianjin University)Chinese Ministry of Education

A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition （VhFPA-RTCVD）, is introduced to prepare sige：h thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition （I^TCVD） technology was successfully used to prepare sige：h thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of sige：h thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed.

关键词： sige:h thin film plasma assisted RTCVD growth rates optoelectronics property

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