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sif_2基态分子的结构与势能函数

物理学报 2009年第8期58卷 5280-5284页

作者：赵俊程新路杨向东朱正和长江大学物理科学与技术学院荆州434023 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

运用Gaussian03软件包,采用密度泛函理论中的B3P86方法,结合6-311++G**(3df,3pd)基组对基态sif2分子的平衡电子结构和谐振频率进行了优化计算,得到了其稳定结构为C2v构型.sif2基态电子态为X1A1,平衡核间距RSi—F=0.1061nm,键角αF—Si—... 详细信息

运用Gaussian03软件包,采用密度泛函理论中的B3P86方法,结合6-311++G**(3df,3pd)基组对基态sif2分子的平衡电子结构和谐振频率进行了优化计算,得到了其稳定结构为C2v构型.sif2基态电子态为X1A1,平衡核间距RSi—F=0.1061nm,键角αF—Si—F=100.6762°,离解能De=13.8eV.应用多体项展式理论推导了基态sif2分子的解析势能函数,其等值势能图准确地再现了sif2分子的平衡构型特征和能量变化.

关键词： sif2 Murrell.Sorbie函数多体项展式理论

SiH_2和sif_2分子的结构与热力学性质

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四川师范大学学报（自然科学版） 2010年第4期33卷 519-522页

作者：江文世朱静平西昌学院生化系四川西昌615013

用密度泛函理论在B3LYP/6-311+G(3d2f)水平上计算研究SiH2和sif2基态分子的结构与热力学性质,得到其热力学性质与温度的关系式和生成反应热力学性质与温度的关系.研究结果显示,SiH2分子和sif2分子的基态均具有C2v对称性,电子态均为X1A1... 详细信息

用密度泛函理论在B3LYP/6-311+G(3d2f)水平上计算研究SiH2和sif2基态分子的结构与热力学性质,得到其热力学性质与温度的关系式和生成反应热力学性质与温度的关系.研究结果显示,SiH2分子和sif2分子的基态均具有C2v对称性,电子态均为X1A1.气态SiH2分子不具有热力学稳定性,气态sif2分子具有热力学稳定性.

关键词： SiH2 sif2 B3LYP 热力学性质

Putsif2基因参与星星草盐胁迫响应的功能分析

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PutSIF2基因参与星星草盐胁迫响应的功能分析

作者：蔡庆上海师范大学

学位级别：硕士

盐碱对植物的生长发育有着严重影响,大幅减少粮食与牧草的作物产量。星星草（Puccinellia tenuiflora）属于禾本科碱茅属多年生草本植物,是一种优质牧草,广泛分布于东北、华北和西北盐碱地,具有很强的盐碱耐受性。解析星星草的盐胁迫响... 详细信息

盐碱对植物的生长发育有着严重影响,大幅减少粮食与牧草的作物产量。星星草（Puccinellia tenuiflora）属于禾本科碱茅属多年生草本植物,是一种优质牧草,广泛分布于东北、华北和西北盐碱地,具有很强的盐碱耐受性。解析星星草的盐胁迫响应机制对于筛选耐盐基因,培育耐盐作物新品种,改良盐碱地和保障粮食安全具有重要意义。sif（Stress Induced Factor）家族属于富亮氨酸重复类受体激酶亚家族（leucine-rich repeat receptor-like kinases,LRR-RLKs）,其家族成员sif2参与植物气孔免疫和盐胁迫响应。星星草Putsif2是否参与盐胁迫响应及其调控机制如何,目前尚不清楚。本研究利用细胞生物学、分子遗传学等研究手段开展了Putsif2调控盐应答机理研究,主要研究结果如下:利用生物信息学手段,在星星草基因组数据库中鉴定到23个Putsif基因。通过构建系统进化树分析了Putsif家族成员之间的关系。随后我们克隆了与二穗短柄草最同源的Putsif2基因,其CDS全长2820 bp,编码939个氨基酸;Putsif2具有保守的Malectin-like domain、LRR（leucine-rich repeat）domain和Kinase domain,其蛋白激酶结构和磷酸化功能位点在进化上十分保守。对Putsif2启动子序列的顺式作用元件分析表明,Putsif2的启动子序列含有ABA响应元件（ABRE）、胁迫响应元件（ARE）等多个参与胁迫应答的顺式作用元件,表明Putsif2在胁迫响应中发挥功能。利用烟草瞬时转化技术,我们发现Putsif2蛋白定位于细胞质膜。组织特异性表达分析表明,Putsif2在星星草根中特异表达,其基因表达水平在NaCl、ABA、HO、NaHCO、PEG6000和冷胁迫（4℃）处理下都有明显变化,尤其是在NaCl和ABA处理下,基因表达明显上调,这表明Putsif2参与星星草盐胁迫应答的调控过程。基于此前有研究发现拟南芥Atsif2调控AtSLAC1参与气孔免疫,我们分析了Putsif2和PutSLAC1的互作关系。首先我们克隆了PutSLAC1基因,其CDS全长1725 bp,编码含有574个氨基酸的蛋白质,其蛋白序列与拟南芥同源序列高度保守,序列一致性达77.8%,是含有10个跨膜结构域的慢型阴离子通道蛋白。PutSLAC1在星星草根和叶中都有表达,这与AtSLAC1在拟南芥保卫细胞中特异表达不同。在NaCl处理下,PutSLAC1表达上调,这表明PutSLAC1参与星星草盐胁迫响应调控。随后我们通过酵母双杂实验、荧火素酶互补试验和Pull-down实验,证明Putsif2和PutSLAC1的N端互作,这与拟南芥中两者的互作关系保持一致,表明它们在生物学功能上可能是保守的。我们筛选获得了拟南芥sif2突变体,Putsif2转化拟南芥野生型Col-0的过表达植株,以及Putsif2回补拟南芥sif2植株。后续表型实验发现,这些遗传材料在正常生长条件下没有明显的根长和侧根数目上的变化;而在100 mM盐胁迫条件下,与Col-0相比,sif2突变体侧根数量增多,而Putsif2过表达体和回补植株的侧根发育受到明显抑制;在含100 mM盐培养基上,Putsif2过表达植株的存活率显著降低,并随着Putsif2表达量的升高,其存活率明显下降。这些结果表明Putsif2通过影响侧根的生长发育来调控植物对盐胁迫的适应,Putsif2与PutSLAC1的互作可能也参与到这一调控过程。

关键词：星星草盐胁迫类受体激酶 sif2 SLAC1

SiX2(X=H,F)分子的结构与势能函数

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物理学报 2009年第1期58卷 201-208页

作者：蒋利娟刘玉芳刘振中韩晓琴河南师范大学物理与信息工程学院新乡453007 新乡学院物理系新乡453003

应用QCISD/6-311++G(3df,3pd)和B3P86/6-311++G(3d2f)对SiH2,sif2的结构进行了优化,优化出SiH2分子的稳定构型为C2v,电子态为1A1,其平衡核间距Re=0.15149nm、键角∠HSiH=92.5025°、离解能为***2分子的稳定构型为C2v,电子态为1A1,其平衡核间距Re=0.16014nm、键角∠Fsif=100.7079°、离解能为14.1391eV.并对它们的力常数及谐振频率进行了进一步的计算.在推断出SiX2(X=H,F)的离解极限的基础上,应用多体展式理论方法,导出了基态SiX2(X=H,F)分子的解析势能函数,该势能表面准确地再现了SiX2(X=H,F)分子的结构特征和能量变化.分析讨论势能面的静态特征时得到SiH+H→SiH2反应中存在鞍点,活化能为192.971kJ/mol,为有阈能的反应.而sif+F→sif2反应中没有鞍点,是无阈能的反应.

关键词： SiH2 sif2 多体项展式理论势能函数

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Si2F6检测及其应用概述

应用化工 2020年第4期49卷 965-968页

作者：宦其山唐安江田合鑫韦德举唐石云郭俊江贵州大学化学与化工学院贵州贵阳550025 贵州理工学院贵州贵阳550003

六氟乙硅烷一个最重要的应用是作为储存二氟化硅的原料,热解即可以提供二氟化硅,二氟化硅作为制备很多含氟硅化合物的中间体,产量稳定、持续提供将对很多含氟硅化合物制备分离,研究其结构性质,物理、化学性质有重要影响,而其中最关键一... 详细信息

六氟乙硅烷一个最重要的应用是作为储存二氟化硅的原料,热解即可以提供二氟化硅,二氟化硅作为制备很多含氟硅化合物的中间体,产量稳定、持续提供将对很多含氟硅化合物制备分离,研究其结构性质,物理、化学性质有重要影响,而其中最关键一步是制取二氟化硅。本文综述六氟乙硅烷的来源、制备、检测方法,及其应用,同时对六氟乙硅烷前景进行展望。

关键词： sif2 Si2F6 检测应用

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氟硅歧化反应体系制备元素硅的工艺研究

氟硅歧化反应体系制备元素硅的工艺研究

作者：李忠贵州大学

学位级别：硕士

硅作为典型的半导体材料,具有良好的电学、光学等特性,在太阳能电池、传感器、光导纤维、金属陶瓷、有机硅化物等领域被广泛使用。贵州磷矿资源丰富,伴生氟、硅元素含量较高,磷肥生产过程中以氟化氢(HF)、四氟化硅(Si F)等形式逸出,造... 详细信息

硅作为典型的半导体材料,具有良好的电学、光学等特性,在太阳能电池、传感器、光导纤维、金属陶瓷、有机硅化物等领域被广泛使用。贵州磷矿资源丰富,伴生氟、硅元素含量较高,磷肥生产过程中以氟化氢(HF)、四氟化硅(Si F)等形式逸出,造成极大的环境、储存和资源浪费等问题。本文以二氟化硅(Si F)在高温下发生歧化反应制备元素硅的工艺为研究对象,选择适合该氟硅体系制备元素硅的工艺路线,对各工艺参数制备元素硅产生的影响进行研究,并探讨该体系不同部位硅沉积物的形成规律。具体工作概括为以下三方面:(1)通过对初步建立的工艺1和工艺2两条歧化反应制备元素硅的工艺路线进行实验对比分析,采用扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表征,结果表明,两条路线在Si F和硅反应阶段产生的效果是相同的,但工艺1中由于输送距离较长,Si F寿命有限,使其在基底表面发生歧化反应生成硅的现象不明显,而工艺2中基底表面歧化反应显著,有大量沉积物,因此选择工艺2作为氟硅歧化反应体系制备元素硅的基本路线。(2)通过实验研究各工艺参数对sif歧化反应生成元素硅的影响,具体包括反应温度、不同基底、催化剂、Si F流量和反应时间,借助SEM、X-射线光电子能谱仪(XPS)、X-射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)以及紫外可见光漫反射光谱仪(UV-DRS)等手段对样品进行表征。XPS与XRD结果表明,基底表面的沉积物为硅,证明Si F在高温下成功发生歧化反应生成了元素硅。SEM结果表明,Si F歧化反应生成的硅在不同温度下具有不同的微观形貌,且随着反应温度的升高,由球形颗粒状变为线状结构;催化剂能够使Si F在基底表面发生歧化反应生成的硅更加均匀,提高有序性;随着反应时间的增加,Si F在基底表面发生歧化反应生成的硅由短线状逐渐颗粒化;不同基底及Si F流量对Si F在基底表面发生歧化反应生成的硅几乎没有影响。Raman结果表明,不同条件下Si F发生歧化反应生成硅的峰位与体硅相比有一定差别,存在红移现象。UV-DRS结果表明,Si F歧化反应生成的硅光反射性能良好,在220 nm～380 nm范围内有明显的反射发生。(3)为了对氟硅歧化反应体系制备元素硅有更加全面的了解,借助SEM、透射电子显微镜(TEM)、X-射线能量色谱仪(EDS)、XRD等手段对体系中的副产物进行表征和研究。SEM和TEM结果表明,副产物为线状结构,直径大于500 nm,最粗可达2μm,长度为毫米级,且直径随Si F流量的增大有减小的趋势。EDS结果表明,副产物主要元素为Si,还有极少O、Al和F元素。XRD结果表明,该副产物为硅纳米线、硅微米线,但衍射峰较硅的标准卡片Si(PDF#05-0565)整体向左发生偏移。

关键词：硅氟硅化物 sif2 歧化反应工艺研究

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Si_xF_y与C_xF_y的研究比较

广东化工 2016年第5期43卷 101-102,106页

作者：何磊唐安江何元琴蔡苗贵州大学化学与化工学院贵州贵阳550025 贵州理工学院贵州贵阳550003

有机氟化合物具有特殊的物理化学性质,被用于从药物化学到材料科学等多个科学领域中,氟硅材料、氟碳材料以其优异的性能被广泛地应用于各行各业。文章针对sif_2与CF_2、sif_4与CF_4的合成工艺、物化性质、应用前景等方面做了探讨和比较。

关键词： sif2 CF2 sif4 CF4 物化性质合成工艺