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Simultaneous quality improvement of the roughness and refractive index of sic thin films

Journal of Semiconductors 2012年第6期33卷 6-9页

作者： Gh.Sareminia H.Simchi A.Ostovari L.Lavasanpour Semiconductor Science and Technology(SST) Department of Physics Iran University of Science and Technology

We deposite silicon carbide thin layers on cleaned Si（100） substrates using the plasma enhanced chemical vapor deposition method,and show that the rftir spectrum is periodic in the near and medium infrared ranges. It is shown that both the deposition rate and the uniformity of the thin films are decreased by increasing the substrate temperature,and that the refractive index is increased by increasing the substrate *** shows that there is a trade-off between the quality improvement of the uniformity and refractive index.

关键词： sic pecvd rftir thickness measurement refractive index

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