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以聚硅氮烷为前驱体的si-c-n陶瓷对雷达波的吸收应用

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高分子材料科学与工程 2004年第2期20卷 144-147页

作者：盂凡君茹淼焱刘爱祥刘宗林孟霞山东大学化学与化工学院山东济南250100

氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的si-c-n陶瓷粉末能吸收X波段(8GHz～12GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化。当将si-c-n陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚... 详细信息

氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的si-c-n陶瓷粉末能吸收X波段(8GHz～12GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化。当将si-c-n陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚度2.20mm的吸收层,面密度仅为2.86kg/m2,在10.47GHz处吸收可达-28.84dB,证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性,并提出si-c-n陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合,吸收性能将会得到更大的提高。

关键词：聚硅氮烷前驱体 si-c-n陶瓷雷达波甲基氯硅烷苯基氯硅烷氨解磁性材料吸波材料

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si-c-n陶瓷在雷达吸收方面的应用研究

材料科学与工艺 2003年第1期11卷 93-96页

作者：孟凡君茹淼焱刘爱祥刘宗林吴秀荣山东大学化学与化工学院山东济南250100

对前驱体法制备的si-c-n陶瓷粉末在X波段(8 2～12 4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2sicl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得si-c-n陶瓷粉末.实验结果表明,si-c-n陶瓷能够吸收... 详细信息

对前驱体法制备的si-c-n陶瓷粉末在X波段(8 2～12 4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2sicl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得si-c-n陶瓷粉末.实验结果表明,si-c-n陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2sicl2的摩尔比对最终的si-c-n陶瓷吸波性能具有显著的影响.当Ph2sicl2的含量为5%时,si-c-n陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9 1～12 4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3 3GHz,在10 6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB.

关键词：雷达波吸收材料聚硅氮烷 si-c-n陶瓷氨解吸波材料雷达波碳化硅氮化硅隐身技术

利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯si-c-n陶瓷

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高分子材料科学与工程 2004年第1期20卷 187-190页

作者：孟凡君谭业邦刘宗林茹淼焱刘爱祥孟霞山东大学化学与化工学院山东济南250100

直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在110... 详细信息

直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯si-c-n无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能si-c-n陶瓷的最经济的方法之一。

关键词： si-c-n陶瓷高沸物二硅烷甲基氯二硅烷聚硅氮烷流变特性高温裂解

c/Pyc/si-c-n复合材料的热物理性能研究

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硅酸盐通报 2016年第4期35卷 1015-1019,1027页

作者：卢国锋渭南师范学院化学与生命科学学院渭南714099

本研究采用cVI方法制备出了以si-c-n陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(c/Pyc/si-c-n)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了c/Pyc/si-c-n的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,c/Pyc/si-c-n复合... 详细信息

本研究采用cVI方法制备出了以si-c-n陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(c/Pyc/si-c-n)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了c/Pyc/si-c-n的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,c/Pyc/si-c-n复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10^(-6)K^(-1);而热扩散率则随温度的升高而减小,并与温度呈一种指数关系,常温下的热扩散率约为0.00925cm^2·s^(-1)。

关键词：复合材料热膨胀热扩散 si-c-n陶瓷

cVI法制备的c/Pyc/si-c-n复合材料弯曲行为研究

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材料导报 2015年第24期29卷 27-30,48页

作者：卢国锋乔生儒西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室西安710072 渭南师范学院化学与生命科学学院渭南714099

采用cVI方法制备出了以si-c-n陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(c/Pyc/si-c-n)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了c/Pyc/si-c-n的断口形貌,用三点弯曲法测试了c/Pyc/si-c-n的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,c/Py... 详细信息

采用cVI方法制备出了以si-c-n陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(c/Pyc/si-c-n)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了c/Pyc/si-c-n的断口形貌,用三点弯曲法测试了c/Pyc/si-c-n的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,c/Pyc/si-c-n的弯曲强度随温度的升高而增加,弹性模量基本保持不变并略有增加;随温度的升高,Pyc界面层较厚的区域其界面结合会逐渐变强,而界面层厚度非常小或无界面层的区域其界面结合会逐渐变弱。

关键词：复合材料弯曲强度模量 si-c-n陶瓷

c/Pyc/si-c-n复合材料的热膨胀行为

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材料导报（纳米与新材料专辑） 2016年第1期30卷 432-435页

作者：卢国锋渭南师范学院化学与生命科学学院渭南714099

采用cVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强si-c-n陶瓷基复合材料（c/Pyc/si-c-n）和无界面层的碳纤维增强si-c-n陶瓷基复合材料（c/si-c-n）。用热膨胀仪分别测试了c/Pyc/si-c-n和c/si-c-n的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料... 详细信息

采用cVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强si-c-n陶瓷基复合材料（c/Pyc/si-c-n）和无界面层的碳纤维增强si-c-n陶瓷基复合材料（c/si-c-n）。用热膨胀仪分别测试了c/Pyc/si-c-n和c/si-c-n的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料热膨胀性能的影响。研究结果表明：在25~1200℃范围内,c/Pyc/si-c-n复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10-6 K-1,线膨胀率为0.0752%;在780℃以上,碳界面的存在使碳纤维增强sic-n基复合材料的热膨胀系数降低,在780℃以下时则对复合材料的热膨胀系数基本无影响。

关键词：平均热膨胀系数线膨胀率 si-c-n陶瓷复合材料