检索结果-南通市图书馆

光子学报 2005年第3期34卷 340-342页

作者：凌磊楼祺洪李抒智叶震寰马海霞董景星中国科学院上海光学与精密机械研究所上海201800

对Nd∶YAG固体激光器倍频、三倍频激光输出在空气和水浴环境下刻蚀si片进行了研究,分析了刻蚀速率和样品表面形貌,得出了在355nm刻蚀波长下,水浴环境中,刻蚀速率最快,刻槽宽度最小,小于10μm的实验结论。

关键词： YAG固体倍频激光切割 si片水浴

水浴条件下YAG倍频激光切割si片的实验研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

激光技术 2004年第2期28卷 131-132,143页

作者：凌磊楼祺洪李抒智叶震寰董景星魏运荣中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

用Nd∶YAG固体倍频激光器在水中对si片进行微刻蚀比在空气中产生的飞溅物少。对两种条件下的刻蚀速率、刻槽表面形貌进行了比较。实验结果得到最窄的刻缝宽度小于 5 0 μm ,表面不平整度小于 5 μm 。

关键词： YAG固体倍频激光切割 si片水浴

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

300mm si片加工及最新发展

半导体技术 2009年第12期34卷 1153-1156页

作者：库黎明闫志瑞索思卓周旗钢北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司北京100088

65 nm及以下线宽对si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmsi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是... 详细信息

65 nm及以下线宽对si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmsi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使si片表面各点的去除量保持均匀。对目前300 mmsi片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mmsi片加工工艺的发展趋势。

关键词： 300mm si片磨削抛光清洗

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

世界si片需求量增加7%

现代材料动态 2002年第11期 18-19页

作者：邓志杰

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

宽禁带圆片在室温下与si片的接合

半导体信息 2011年第1期 17-17页

作者：孙再吉

据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将siC、GaN和蓝宝石在室温下分别与si片直接接合。通过材料高效、高品质的接合,为新器件的开发、新器件的规模化生产开拓了新的途径。常... 详细信息

据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将siC、GaN和蓝宝石在室温下分别与si片直接接合。通过材料高效、高品质的接合,为新器件的开发、新器件的规模化生产开拓了新的途径。常温下接合,主要采用在真空条件下通过离子束照射。

关键词：三菱重工圆片 si片电子材料自主知识产权宽禁带温下热应力

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN材料的CVD法制备与性能研究

GaN材料的CVD法制备与性能研究

作者：李鹏坤福建师范大学

学位级别：硕士

GaN作为第三代直接宽禁带半导体材料的代表,具有高击穿电场、高迁移率、高电子饱和漂移速率、高频、耐高温和抗辐射等优点,使其在新一代固态照明、探测器、微波射频器件和电力电子器件等领域大放异彩。人们已经通过各种方法合成了多种... 详细信息

GaN作为第三代直接宽禁带半导体材料的代表,具有高击穿电场、高迁移率、高电子饱和漂移速率、高频、耐高温和抗辐射等优点,使其在新一代固态照明、探测器、微波射频器件和电力电子器件等领域大放异彩。人们已经通过各种方法合成了多种形态的GaN材料,如纳米线、纳米管、纳米带、纳米片、纳米树和薄膜等。不同形貌与结构的GaN对其性能与应用具有显著地影响。因此可控地合成不同形貌与结构的GaN纳米材料、薄膜及其纳米复合材料依然是研究的热点。本文通过化学气相沉积法(CVD)于蓝宝石基底表面实现了GaN纳米线和薄膜的可控生长;于si片上成功的合成了GaN/si ON纳米复合材料,并表征与分析了它们的形态结构、成分、生长机制以及发光性能。主要研究结果如下:(1)采用简单有效的化学气相沉积方法,通过NH对衬底表面的氮化处理以及VS生长机制,集N极性和节结构于一体的高质量GaN纳米线在c面蓝宝石衬底上成功合成。探究了Ga浓度和不同面的蓝宝石衬底对其形貌和结构的影响,详细分析了它的生长机制。(2)于r面蓝宝石衬底表面选择性地溅射Au膜,实现了极性c向水平GaN纳米线阵列(于无Au区域生长)和非极性a面GaN薄膜(于镀Au区域生长)的同步外延。通过改变生长时间和Au膜厚度调控了纳米线的尺寸和薄膜的形貌;使用不同面的蓝宝石衬底控制了纳米线和薄膜的生长取向。分析了水平纳米线、薄膜和衬底三者的外延关系。(3)Au液滴辅助四个方向生长的倒六方GaN金字塔初始化成核,实现了无应力GaN薄膜于c面蓝宝石衬底上的自图案化外延生长。探究了生长温度对其形态结构的影响;分析了其生长过程。(4)通过Ga液滴对二氧化硅纳米线的催化生长以及NH对带有Ga球的二氧化硅纳米线的氮化处理,在si片上合成了以GaN纳米块作为顶帽,以siON纳米线作为触须的高密度水母状GaN/siON纳米复合材料。讨论了生长温度对其形貌和结构的影响,分析了其生长机制。

关键词： GaN 纳米线薄膜 GaN/siOxNy 蓝宝石衬底 si片 CVD

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

硅片真空夹紧装置设计

真空电子技术 2006年第2期19卷 36-39页

作者：孙青云干蜀毅合肥工业大学机械与汽车工程学院安徽合肥230009

设计了一套硅片专用真空夹紧装置,包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵。为减少硅片在夹紧过程中变形,夹紧装置采用了多吸口、回旋槽的平面型结构;根据所需夹紧力大小,设计了抽速为0.3 L/s的微型真空泵,泵内无油避免了对硅片的污染;对间... 详细信息

设计了一套硅片专用真空夹紧装置,包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵。为减少硅片在夹紧过程中变形,夹紧装置采用了多吸口、回旋槽的平面型结构;根据所需夹紧力大小,设计了抽速为0.3 L/s的微型真空泵,泵内无油避免了对硅片的污染;对间隙返流进行了计算并分析了对泵性能的影响;对气路进行了特殊设计使得硅片装卸方便、快捷。

关键词：真空夹具 si片微型泵旋片泵

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅片真空夹紧系统设计

硅片真空夹紧系统设计