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  • 1 篇 霍尔迁移率
  • 1 篇 二维电子气
  • 1 篇 si/sige异质结
  • 1 篇 硅基量子计算

机构

  • 1 篇 华南师范大学
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  • 1 篇 上海大学
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作者

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检索条件"主题词=Si/SiGe异质结"
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非掺杂型si/sige异质结外延与表征
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物理学报 2024年 第11期73卷 297-304页
作者： 耿鑫 张结印 卢文龙 明铭 刘方泽 符彬啸 褚逸昕 颜谋回 王保传 张新定 郭国平 张建军 华南师范大学物理学院 广州510631 松山湖材料实验室 半导体异质材料与器件中心东莞523830 中国科学技术大学 中国科学院量子信息重点实验室合肥230026 中国科学院物理研究所 纳米物理与器件重点实验室北京100190 上海大学理学院 上海200444
以自旋为编码单元的硅基半导体量子计算与传统微电子工艺兼容,易拓展且可以同位素纯化提高退相干时间,因而备受关注.本研究工作通过分子束外延生长了高质量非掺杂型si/sige异质结并测试了二维电子气迁移率.球差电镜观察到原子级尖锐界面... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 博看期刊 评论
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