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LATTICE DYNAMICS OF STRAINED si/ge SUPERLATTICES

Chinese Physics Letters 1990年第5期7卷 230-233页

作者： ZI Jian ZHANG Kaiming XIE Xide Physics Department Fudan UniversityShanghai 200433

Lattice dynamics of strained(si)_(4)/(ge)_(4) superlattice grown pseudomorphically on (001)-oriented si_(1-x)ge_(x)(0≤x≤1)substrate is *** the present calculations,the effects of strain and substrate are discussed.

关键词： si/ge strained SUPER

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si/ge异质结构的生长与特性

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固体电子学研究与进展 1989年第4期9卷 353-355页

作者：郑有炓张荣胡立群钟培新莫水元李学宁顾红南京大学物理系

近年来,由ge,si这两种晶格失配(4.2％)材料组成的ge/si异质结构与ge/si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长ge/si异质结构和超薄ge/si超晶格以及gexsi1-x/si超晶格。... 详细信息

近年来,由ge,si这两种晶格失配(4.2％)材料组成的ge/si异质结构与ge/si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长ge/si异质结构和超薄ge/si超晶格以及gexsi1-x/si超晶格。化学汽相淀积技术(CVD)与MBE相比,除了设备简单、价格便宜外,对于ge,si外延来说,还便于与现有的硅大规模集成工艺技术相结合,使之更富有实用性。近期已有报道用CVD技术生长gexsi1-x/si异质结构。

关键词： si/ge 异质结构生长半导体材料

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包裹在自组装si/ge点超晶格上的声学声子拉曼散射研究(英文)

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光散射学报 2005年第3期 124-126页

作者： P. H. Tan ,D. Bougeard,G. Abstreiter,K. Brunner Walter Schottky Institut Technische Universitaet Muenchen D-85748 Garching germany State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 P. R. China Walter Schottky Institut Technische Universitaet Muenchen D-85748 Garching germany Walter Schottky Institut Technische Universitaet Muenchen D-85748 Garching germany Walter Schottky Institut Technische Universitaet Muenchen D-85748 Garching germany

Self-assembled si/ge quantum dot (QD) structures have been intensively studied in the last years for potential applications in si based integrated optoelectronics [1]. For the demand of many technical applications, ge dot superlattices separated by si can be deposited in order to increase the optical and electronic response. Raman scattering has proven to be an essential technique to characterize si/ge superlattices and si/ge dot superlattices [2,3,4]. However, most of Raman studies were concentrated on their optical modes of si/ge dot superlattices, but few of them were carried out to characterize the detail structural properties of si/ge dot superlattice structures. Here, Self-assembled si/ge dot multilayers with small, uncorrelated dots fabricated by molecular beam epitaxy in the Stranski-Krastanov growth mode are studied by Raman scattering of folded longitudinal acoustic (FLA) modes.

关键词： si/ge ge FLA

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Heterogeneous isomorphism hollow sige nanospheres with porous carbon reinforcing for superior electrochemical lithium storage

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Journal of Energy Chemistry 2023年第4期79卷 222-231页

作者： Peibo Gao Huimin Wu Wenhao Liu Shuang Tian Jinglin Mu Zhichao Miao Pengfei Zhou Huanian Zhang Tong Zhou Jin Zhou School of Physics and Optoelectronic Engineering Shandong University of TechnologyZibo 255049ShandongChina School of Chemistry and Chemical Engineering Shandong University of TechnologyZibo 255049ShandongChina

silicon is emerging as a promising next-generation lithium-ion battery anode because of its high theoretical capacity and low ***,the poor cyclability and inferior rate performance hinder its largescale ***,hollow silicon/germanium(H-sige)nanospheres with a binary-active component and heterogeneous structure combined with porous carbon(pC)reinforcing are synthesized as lithium-ion battery *** studies demonstrate that the H-sige/pC anodes possess tiny volume expansion,high ion/electron conductivity,and stable electrode *** calculations confirm that through the replacement of si using ge with rational component control,the diffusion energy barrier of lithium will be reduced and lithium storage ability can be improved because of the slight charge *** from these unique merits,the H-sige/pC anodes display a high initial specific capacity of 2922.2 mA h g^(-1)at 0.1 A g^(-1),superior rate capability(59.4%capacity retention from 0.5 to 8 A g^(-1)),and excellent cycling stability(81%retention after 700 cycles at 5 A g^(-1)at 1.0–1.2 mg cm^(-2)).An outstanding stability is preserved even at a high loading of 3.2 mg cm^(-2)with an improved reversible capacity of 429.1 mA h g^(-1)after 500 cycles at 4 A g^(-1).Furthermore,the full-cell with the prelithiated H-sige/pC anode and LiFePO4cathode exhibits an impressive capacity performance.

关键词： si/ge Heterostructures Anode Molten salt Li-ion battery

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