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Transient photoconductivity in a-(se80te20)100-xagx（0≤x≤4） thin films

Progress in Natural Science:Materials International 2012年第5期22卷 386-391页

作者： D.Singh S.Kumar R.Thangaraj semiconductors Laboratory Department of PhysicsGuru Nanak Dev UniversityAmritsarPunjab 143005India

Bulk material of(se80te20)100-xagx(0≤x≤4) system was prepared by using a conventional melt quenching *** films of a-(se80te20)100-xagx(0≤x≤4) were deposited by the vacuum evaporation technique at a base pressure of 10-4 mbar onto well-cleaned glass *** dependence of electrical conductivity in the temperature range of 263-333 K has been *** is increase in the value of conductivity with increase in temperature as well as with ag *** measurements of intensity dependence of photoconductivity show that the photoconductivity increases with intensity as a power law where the power is found to be between 0.5 and 1.0,representing the continuous distribution of *** and decay of photocurrent with time at room temperature at different light intensities for(se80te20)98ag2 thin film samples have also been *** results have been explained on the basis of the Dember voltage and interaction between photoexcited holes and the trapped electrons on the surface.

关键词： Chalcogenides se-te-ag system Transient photoconductivity

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