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检索条件"主题词=Schottky-barrier field effect transistor"
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Simulations of monolayer SiC transistors with metallic 1T-phase MoS_(2) contact for high performance application
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Chinese Physics B 2021年 第11期30卷 495-500页
作者： Hai-Qing Xie Dan Wu Xiao-Qing Deng Zhi-Qiang Fan Wu-Xing Zhou Chang-Qing Xiang Yue-Yang Liu Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering School of Physics and Electronic ScienceChangsha University of Science and TechnologyChangsha 410114China School of Materials Science and Engineering&Hunan Provincial Key Laboratory of Advanced Materials for New Energy Storage and Conversion Hunan University of Science and TechnologyXiangtan 411201China College of Information Science and Engineering Jishou UniversityJishou 416000China State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China
We preform a first-principles study of performance of 5 nm double-gated(DG)schottky-barrier field effect transistors(SBFETs)based on two-dimensional SiC with monolayer or bilayer metallic 1T-phase MoS_(2) *** of the w... 详细信息
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