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modulation of WN_x/Ge schottky barrier height by varying N composition of tungsten nitride

Chinese Physics B 2015年第7期24卷 459-462页

作者：魏江镔池晓伟陆超王尘林光杨吴焕达黄巍李成陈松岩刘春莉 Department of Physics Semiconductor Photonics Research CenterXiamen University Department of Physics Hankuk University of Foreign Studies

modulation of the schottky barrier heights was successfully demonstrated for WNx/p-Ge and WNx/n-Ge contacts by increasing the nitrogen component in the WNx films. The WN0.38/p-Ge contact exhibits rectifying characteristic and an apparent schottky barrier of 0.49 eV while the WN0.38/n-Ge schottky contact exhibits quasi-Ohmic current–voltage characteristics. Dipoles formed at the contact interface by the difference of the Pauling electronegativities of Ge and N are confirmed to alleviate the Fermi-level pinning effect.

关键词： germanium Fermi-level pinning schottky barrier height modulation tungsten nitride

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