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Te-free sbbi thin film as a laser heat-mode photoresist

Chinese Optics Letters 2019年第9期17卷 105-108页

作者：张奎王正伟陈国东王阳曾爱军朱菁 Syarhei Avakaw Heorgi Tsikhanchuk Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices Key Laboratory of Materials for High-Power LaserShanghai Institute of Optics and Fine MechanicsChinese Academy of SciencesShanghai 201800China Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China KBTEM-OMO Joint Stock Company Minsk 220033Republic of Belarus

A Te-free binary phase change material Sb Bi is proposed as a new inorganic photoresist for heat-mode lithography. It shows good film-forming ability(surface roughness <1 nm), low threshold power for crystallization(2 m W), and high etching selectivity(15:1). Line-type, dot-type, and complex pattern structures with the smallest feature size of 275 nm are fabricated on Sb Bi thin films using a 405 nm diode laser direct writing system. In addition, the excellent grating structures with a period of 0.8 μm demonstrate that thermal interference does not affect the adjacent microstructures obviously. These results indicate that Sb Bi is a promising laser heat-mode resist material for micro/nanostructure fabrication.

关键词： Te-free sbbi laser heat-mode photoresist

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