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  • 1 篇 集成电路制造
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机构

  • 1 篇 上海华虹宏力半导...

作者

  • 1 篇 丁亚钦
  • 1 篇 倪立华
  • 1 篇 李宗旭

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=STI填充"
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HARP-SiCoNi工艺在量产环境下提升高台阶比浅沟道隔离填充能力的研究
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集成电路应用 2024年 第4期41卷 52-54页
作者： 倪立华 丁亚钦 李宗旭 上海华虹宏力半导体制造有限公司 上海201203
阐述基于量产环境中“高台阶比”的“非标准V型”sti结构,使用传统的HARP和SiCoNi组合工艺研究该结构Void Free的填充方案,并测试HARP预沉积厚度和SiCoNi刻蚀量的工艺窗口,实现量产环境下“高台阶比”的“非标准V型”沟槽Void Free填充。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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