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  • 1 篇 北京工业大学

作者

  • 1 篇 vlad bondarenko
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  • 1 篇 查祎英
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1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块
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电力电子 2011年 第4期9卷 47-49页
作者： Robin Schrader Vlad Bondarenko David C.Sheridan 查祎英 胡冬青 Jeff Casady SemiSouth Laboratories Inc. 北京工业大学
最近的模块研发工作已经生产出封装在sp1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm^2SiC VJFET和23mm^2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下,获得2.7mΩ-cm^2的比导通电阻。开关测试采用了标准的... 详细信息
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