检索结果-南通市图书馆

A deep trench super-junction LDMOS with double charge compensation layer

Journal of Semiconductors 2022年第10期43卷 103-108页

作者： Lijuan Wu Shaolian Su Xing Chen Jinsheng Zeng Haifeng Wu Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering School of Physics&Electronic ScienceChangsha University of Science&TechnologyChangsha 410114China

A deep trench super-junction LDMOS with double charge compensation layer(DC DT SJ LDMOS)is proposed in this *** to the capacitance effect of the deep trench which is known as silicon-insulator-silicon(sis)capacitance,the charge balance in the super-junction region of the conventional deep trench SJ LDMOS(*** SJ LDMOS)device will be broken,resulting in breakdown voltage(BV)of the device *** DT SJ LDMOS solves the sis capacitance effect by adding a vertical variable doped charge compensation layer and a triangular charge compensation layer inside the *** SJ LDMOS ***,the drift region reaches an ideal charge balance state *** electric field is optimized by double charge compensation and gate field plate so that the breakdown voltage of the proposed device is improved sharply,meanwhile the enlarged on-current region reduces its specific *** simulation results show that compared with the *** SJ LD-MOS,the BV of the DC DT SJ LDMOS has been increased from 549.5 to 705.5 V,and the R_(on,sp) decreased to 23.7 mΩ·cm^(2).

关键词： double charge compensation layer super-junction deep trench sis capacitance

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：