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世界仪表与自动化 2005年第10期9卷 66-66页

西门子公司电动执行机构部门（现西博思电动执行机构有限公司）推出第二代变频智能型电动执行机构——采用高科技的sipos5Flash系列执行机构。该产品用途广泛．可对阀门进行可靠的开关控制和频繁调节。它已被大量用于电厂、供热系统、... 详细信息

西门子公司电动执行机构部门（现西博思电动执行机构有限公司）推出第二代变频智能型电动执行机构——采用高科技的sipos5Flash系列执行机构。该产品用途广泛．可对阀门进行可靠的开关控制和频繁调节。它已被大量用于电厂、供热系统、水泥厂、钢铁厂、供水系统、污水处理厂、食品工业和化工厂。

关键词：电动执行机构智能型 sipos Flash 变频一代西门子公司污水处理厂有限公司开关控制

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德国西博思电动执行机构公司——sipos 5 FLASH系列变频智能型电动执行机构

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流程工业 2004年第10期 76-76页

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用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管

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半导体情报 2001年第2期38卷 40-42页

作者：王军杨晓智深圳深爱半导体公司广东深圳518000

论述了 sipos钝化的原理、生产 sipos晶体管的工艺步骤。

关键词： sipos 掺氧多晶硅平面高压技术高压晶体管

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1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计

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微电子学 2016年第5期46卷 716-720页

作者：陈天张旭廖永亮于绍欣无锡华润微电子有限公司江苏无锡214000

利用二维半导体工艺及器件模拟工具,从结掺杂浓度、P阱与P环间距、P环尺寸控制3个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压,提出了应用于1 200V沟槽栅场截止型IGBT的终端解决方案。从结的深度和终端长度两方面,将sipos终端技术与标准... 详细信息

利用二维半导体工艺及器件模拟工具,从结掺杂浓度、P阱与P环间距、P环尺寸控制3个方面分析了半绝缘多晶硅终端结构的击穿电压,提出了应用于1 200V沟槽栅场截止型IGBT的终端解决方案。从结的深度和终端长度两方面,将sipos终端技术与标准的场环场板终端技术进行了对比。结果表明,采用sipos终端结构并结合降低表面场技术,使得终端尺寸有效减小了58%,并且,采用sipos技术的终端区域击穿电压受结深的影响较小,有利于实际制造工艺的控制和IGBT器件稳定性的提升。

关键词： IGBT sipos 终端场环场板

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新型AlGaN/GaN垂直HEMT器件结构设计

新型AlGaN/GaN垂直HEMT器件结构设计

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作者：马俊超西安电子科技大学

学位级别：硕士

击穿电压（Break Voltage,简称BV）和比导通电阻(Specific On Resistance,简称Ron,sp)是衡量功率器件电学性能的两个关键因素。电学性能优异的功率器件可较好的在BV和Ron,sp之间建立平衡。为了获得高BV,低Ron,sp的垂直型GaN基功率器件,... 详细信息

击穿电压（Break Voltage,简称BV）和比导通电阻(Specific On Resistance,简称Ron,sp)是衡量功率器件电学性能的两个关键因素。电学性能优异的功率器件可较好的在BV和Ron,sp之间建立平衡。为了获得高BV,低Ron,sp的垂直型GaN基功率器件,本文主要围绕着提升垂直型AlGaN/GaN的电学性能为目标,提出了三种新型AlGaN/GaN异质结结构的垂直型器件,它们拥有较高的BV和低Ron,sp,而且也能够减小器件的导通损耗。通过采用先进的结构和材料,可以大幅提升垂直型AlGaN/GaN功率器件的性能。为此,我们将重点利用AlGaN/GaN二维电子气、半绝缘多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,sipos）场板、深沟槽栅、超结和半超结技术等,以期达到更佳效果。基于Sentaurus Technology Computer Aided Design（Sentaurus TCAD）仿真软件对器件的工作机理进行剖析,深入探究器件的结构参数、浓度参数等对器件的导通特性和阻断能力的影响,获得一些具有实际意义和价值的研究成果和规律,并对器件进行优化设计使器件的性能达到最优。最后对器件工艺制造流程进行了充分的论述,证明了器件制备的可行性,并且每一步都进行了详细解释。总而言之,本文的创新点和主要贡献如下:（1）设计了sipos场板垂直沟槽型AlGaN/GaN HEMT（简称:sipos VT-AlGaN/GaN HEMT）。新结构结合了sipos特性和贯通式沟槽结构的优点。当器件关闭时,sipos场板的电场调节功能可以导致漂移区的电场分布更为均衡,进而增加BV;当器件工作时,sipos场板下方的高浓度电子区域相当于局部高浓度掺杂,这样就可以大大降低器件的Ron,sp,同时AlGaN/GaN形成的二维电子气也会降低源极附近电阻,经Sentaurus TCAD仿真,本发明提出的新型器件的性能比传统AlGaN/GaN垂直型电子器件有了显著的提升,进而导致器件的使用寿命和可靠性得到了极大的改善。当两种器件的漂移区厚度和掺杂浓度相同时,sipos VT-AlGaN/GaN HEMT的击穿电压高达1828 V,传统垂直沟槽型AlGaN/GaN HEMT（简称:***-AlGaN/GaN HEMT）的击穿电压值则为1506 V。相比于***-AlGaN/GaN HEMT,sipos VT-AlGaN/GaN HEMT BV提升了21.4%。此外,sipos VT-AlGaN/GaN HEMT的Ron,sp为0.63 mΩ·cm2,***-AlGaN/GaN HEMT的Ron,sp为1.03 mΩ·cm2,Ron,sp降低了约38.8%,显著提升了器件的电流输出能力。（2）提出了sipos场板垂直沟槽型超结AlGaN/GaN HEMT（简称:sipos SJ-VT AlGaN/GaN HEMT）和sipos场板垂直沟槽型半超结AlGaN/GaN HEMT（简称:sipos SSJ-VT AlGaN/GaN HEMT）。在漂移区内引入超结和半超结结构。由于超结和半超结形成的横向电场改变了器件漂移区内部的电场分布,进而改善器件的BV。sipos SJ-VT AlGaN/GaN HEMT的BV显著高于传统器件,达到1861 V,比***-AlGaN/GaN HEMT提升了23.5%;sipos SSJ-VT AlGaN/GaN HEMT的BV达到1841 V,比***-AlGaN/GaN HEMT提升了22%。***-AlGaN/GaN HEMT的Ron,sp为0.85 mΩ·cm2,sipos SJ-VT AlGaN/GaN HEMT的Ron,sp降低到0.51 mΩ·cm2,比***-AlGaN/GaN HEMT降低了约40%,而sipos SSJ-VT AlGaN/GaN HEMT的Ron,sp降低到0.48 mΩ·cm2,比***-AlGaN/GaN HEMT降低了约43%,这表明了这两种器件在降低电阻方面的应用效果。两种器件的电流输出能力都得到了显著提升。此外,探究了超结浓度差,漂移区厚度变化对sipos SJ-VT AlGaN/GaN HEMT性能的影响以及P柱浓度,P柱厚度变化对sipos SSJ-VT AlGaN/GaN HEMT性能的影响。最后对器件工艺制造流程的每一步进行了充分的阐述,证实了器件制备的可行性。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 击穿电压比导通电阻垂直型 sipos 沟槽型

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VDMOS终端结构设计

VDMOS终端结构设计

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作者：鲍婷婷桂林电子科技大学

学位级别：硕士

功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关国内外学者的广泛关注,其中在外围终端保护结构中,主结边缘处由于结曲率效应引起的电场线集中问题易造成... 详细信息

功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关国内外学者的广泛关注,其中在外围终端保护结构中,主结边缘处由于结曲率效应引起的电场线集中问题易造成器件的提早击穿,从而限制VDMOS在高压领域的发展。本文围绕700V VDMOS终端耐压问题提出了三种不同的新结构,并通过二维半导体器件仿真软件Silvaco TCAD进行仿真与分析。主要工作如下:(1)根据700V VDMOS终端结构的设计指标,设计合适的元胞结构,通过理论及计算机模拟仿真分析各参数对元胞性能的影响,确定了满足要求的元胞结构及主要相关参数。(2)提出了一种具有均匀浅槽的VDMOS新型终端结构。在该结构中,源极场板降低了主结附近的高电场,扩展了耗尽区;此外,场板下方的浅槽中引入了许多电场峰值,提高了表面的平均电场强度,两者均提高了器件的击穿电压。仿真结果表明,该结构在终端长度L=132μm时的击穿电压为706 V,与传统的场板终端结构相比,击穿电压提高了119%,达到平行平面结(元胞)的97%,几乎完全消除了边缘曲率效应的影响。(3)为了进一步减少终端区域的使用面积,降低成本,在均匀浅槽VDMOS终端结构的基础上,通过改变表面介质槽的宽度、间距和高度,设计了一款非均匀浅槽的VDMOS终端结构。仿真结果表明,该结构在终端长度L=105μm时的击穿电压为702V,与耐压特性几乎相同的均匀浅槽终端结构相比,终端长度减少了27μm,约20.5%。(4)设计了一种具有sipos材料的表面变掺杂终端结构。终端区表面注入了两种不同浓度的P-Top区,且在其表面场氧层上方覆盖了一层高阻特性的sipos,利用表面sipos层内均匀的电场调节Si层漂移区内电场分布。仿真结果表明,该结构在终端为109μm长度上实现了697.5V的高压,与常规结构相比,提高了18%。

关键词： VDMOS 终端结构击穿电压介质槽场板 sipos

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