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半导体多晶硅生产综述

稀有金属 1984年第6期 20-25页

作者：吴引林洛阳单晶硅厂

一、前言早在第二次世界大战期间,美国杜邦公司就制出多晶硅供应美国各电子公司制造高频二极管。1950年～1953年美国贝尔电话实验室用氢还原SiCl4,在钽丝上生产少量多晶硅,P型电阻率约1000欧姆-厘米。1953年西门子公司认识到用于电力... 详细信息

一、前言早在第二次世界大战期间,美国杜邦公司就制出多晶硅供应美国各电子公司制造高频二极管。1950年～1953年美国贝尔电话实验室用氢还原SiCl4,在钽丝上生产少量多晶硅,P型电阻率约1000欧姆-厘米。1953年西门子公司认识到用于电力工业的硅整流器有巨大潜力,而整流器的发展则取决于原料硅;至1957年,西门子法问世。1955～

关键词：多晶硅新工艺 SICI sih 西门子法还原炉

化学气相沉积(CVD)法制备薄膜材料的进展

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仪表材料 1986年第2期 116-122页

作者：柴璋胡中波中国科技大学研究生院中国科学院电子研究所

无机薄膜在现代科学技术中占有重要地位。CVD法是制备这类薄膜的有效手段之一.它装置简单,操作方便,工艺重现性好,且可在沉积薄膜的过程中随时调节薄膜的组成.过去20年里,在常压CVD得到广泛应用的同时,低压CVD、等离子体增强CVD(包括微... 详细信息

无机薄膜在现代科学技术中占有重要地位。CVD法是制备这类薄膜的有效手段之一.它装置简单,操作方便,工艺重现性好,且可在沉积薄膜的过程中随时调节薄膜的组成.过去20年里,在常压CVD得到广泛应用的同时,低压CVD、等离子体增强CVD(包括微波等离子体CVD)、光激发CVD(包括激光激发CVD)相继出现,并被成功地应用于优质薄膜的制备中。可预言,随着实践和理论的不断发展,CVD将更广泛地应用于现代科技领域中.

关键词： CVD sih 衬底化学反应重现性基片再现性等离子体增强化学气相沉积法薄膜材料

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SIMOX技术及其发展和应用

电子器件 1982年第2期 53-65页

作者：谢世健半导体电子学研究室

一、序言 SIMOX技术(Se（?）oration by Implanted oxygem)是日本电信电话公社和武芷野电气通信研究所于1978年首先提出来的。近二、三年来已有非常引人注目地得到发展。用氧离子注入技术在体硅内形成SiO;层,把它作为绝缘层衬底,直接... 详细信息

一、序言 SIMOX技术(Se（?）oration by Implanted oxygem)是日本电信电话公社和武芷野电气通信研究所于1978年首先提出来的。近二、三年来已有非常引人注目地得到发展。用氧离子注入技术在体硅内形成SiO;层,把它作为绝缘层衬底,直接用其上面的过渡层或者在其上面外延生长硅层来制作MOS,CMOS等有源器件,它兼有体硅和SOS器件的优点,可望在大规模、超大规模集成电路中得到发展。本文着重介绍SIMOX技术,SIMOX-SiO;层上的外延生长硅,SIMOX衬底的特性,以及在MOS场效应晶体管,CMOS电路等器件中的应用。

关键词： SOS SIMOX 体硅 St sih

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氮化硅膜的氧化与氧氮化硅膜

半导体技术 1983年第5期 53-64页

作者：吴白芦中国科学院研究生院

自从1965年第一次成功地制备用于微电子学的氮化硅膜以来,对氮化硅膜的制备工艺、结构、性能、使用条件进行了广泛研究。研究最多的问题之一是氧对氮化硅膜的影响。从初期发现氮化硅膜对氧的掩蔽能力,到1968年以来对氧氮化硅膜的大量研... 详细信息

自从1965年第一次成功地制备用于微电子学的氮化硅膜以来,对氮化硅膜的制备工艺、结构、性能、使用条件进行了广泛研究。研究最多的问题之一是氧对氮化硅膜的影响。从初期发现氮化硅膜对氧的掩蔽能力,到1968年以来对氧氮化硅膜的大量研究,从70年代对氮化硅膜的氧化性质的观测和探讨,到用各种粒子谱仪对氧沾污的直接分析等等,都是探讨氧对氮化硅膜的作用。氧对氮化硅膜的作用,通常有两种不同的形式:一种是少量氧在氮化硅膜的形成过程中结合进氮化硅膜,改变膜层的理化性质。另一种是大量氧化剂在氮化硅的使用过程中与之发生由表及里的氧化反应。本文的目的是分别评价这两方面的研究结果。

关键词：氮化硅膜氧化性质氧含量氧沾污 sih 氧氮化硅淀积系统

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半导体工艺使用的气体

微电子学 1984年第2期 8-32页

作者：原田光辛永库日本氧气公司

前言日本的半导体工业,由于具有优秀的半导体制作技术和相当的技术革新潜力,因而在世界上名列前矛。目前,64K位的超大规模集成电路业已步入工业生产阶段,正在进行256K至1M位的技术开发工作。面对着如此之高的集成度,目前把技术革新的重... 详细信息

前言日本的半导体工业,由于具有优秀的半导体制作技术和相当的技术革新潜力,因而在世界上名列前矛。目前,64K位的超大规模集成电路业已步入工业生产阶段,正在进行256K至1M位的技术开发工作。面对着如此之高的集成度,目前把技术革新的重点主要放在电子设备的小型轻量化、性能和成品率的提高以及低价格化上。

关键词： CI sih 半导体器件电子设备半导体工艺

激光化学的工业应用——超精细硅化物的选择合成

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化工进展 1986年第6期 26-31页

作者：杨福明北京化工学院

当前正在开发的应用激光化学新领域中,CWCO2激光和TEA-CO2激光在9～11μ波段内的选择性引发化学反应受到重视,这些反应的工业应用具有较高的经济价值。激光法分离同位素、制备新型材料和高纯

关键词：反应区 sih NH 激光法常规法 SIC 细粉火焰结构粉末化学反应速率超精细

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扩锑的掺杂氧化物淀积系统

微电子学与计算机 1972年第2期1卷 71-77页

作者：陈桂英

本文描写了应用氧化物掺杂的锑扩散系统。这个扩散系统适合pnp晶体管基区扩散。显然,用于集成电路的埋层扩散比现有的系统要好。设备包括一个电炉,用它加热放片子的旋转台。气体能自动地按编好的程序依次送入（CH3）3Sb（锑源）、sih4... 详细信息

本文描写了应用氧化物掺杂的锑扩散系统。这个扩散系统适合pnp晶体管基区扩散。显然,用于集成电路的埋层扩散比现有的系统要好。设备包括一个电炉,用它加热放片子的旋转台。气体能自动地按编好的程序依次送入（CH3）3Sb（锑源）、sih4、氧和氮。气体经过倒置的玻璃漏斗送到片子。在较低的温度下（315℃）进行淀积,一般只需5分钟。再扩散之前,淀积层由Sb2O5或者SiO2—Sb2O5混合物组成。用SiO2盖层防止Sb从表面蒸发。再扩散在通常扩散温度下进行。利用误差分布函数计算出在1200℃时的扩散系数为8.3×10-13cm2sec-1。从已发表的曲线推导出表面浓度为5×1019cm-3。扩散系数比发表的数值高,可能是由于在整个扩散过程中Sb2O5过量所引起。此系统已用于硅器件,但对锗扩散也有效。

关键词：淀积层 Sb 硅烷有机硅化合物掺杂氧化物淀积系统三甲基锑 sih 地层盖层

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无定形硅太阳电池

仪表材料 1981年第3期 28-35页

作者：李春鸿中国科学院长春应用化学研究所

无定形硅太阳电池是最近发展起来的一种新型电池。由于它将有可能实现廉价生产而目前很重视它的研究。以前的无定形硅薄膜是用聚冷法,主要是用真空蒸发法和溅射法制造的。但这样制造的无定形硅,含有大量的空隙等缺陷,其电学及光学性能... 详细信息

无定形硅太阳电池是最近发展起来的一种新型电池。由于它将有可能实现廉价生产而目前很重视它的研究。以前的无定形硅薄膜是用聚冷法,主要是用真空蒸发法和溅射法制造的。但这样制造的无定形硅,含有大量的空隙等缺陷,其电学及光学性能不好而并没有引起人们的重视。然而,Spear等人于1975年,首次用sih4的辉光放电法形成的无定形硅（这样形成的无定形硅含有氢）,由于在其反应中氢把局域态密度减少,使无定形硅可以控制其p、n型,因

关键词：太阳电池春鸿 sih 无定形硅辉光放电法

用空心阴极等离子体喷枪技术沉积半导体薄膜的分析

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现代材料动态 2008年第4期 6-7页

作者：邓志杰（摘译）

空心阴极法生长半导体薄膜的优点是：在沉积a-Si：H时不必使用硅烷（增强的等离子体，可使H2离解并以sih键“进入”膜中）。同样，沉积a-SiGe：H也不必使用硅烷和锗烷（锗烷昂贵且剧毒）。在用该法生长GexC1-x膜时，C（进入格点位置）... 详细信息

空心阴极法生长半导体薄膜的优点是：在沉积a-Si：H时不必使用硅烷（增强的等离子体，可使H2离解并以sih键“进入”膜中）。同样，沉积a-SiGe：H也不必使用硅烷和锗烷（锗烷昂贵且剧毒）。在用该法生长GexC1-x膜时，C（进入格点位置）的浓度高于用其它沉积方法所制材料。

关键词：半导体薄膜沉积方法等离子体空心阴极技术喷枪 a-Si:H sih