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AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

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物理学报 2007年第10期56卷 6013-6018页

作者：周忠堂郭丽伟邢志刚丁国建谭长林吕力刘建刘新宇贾海强陈弘周均铭北京凝聚态物理国家实验室中国科学院微电子研究所化合物半导体器件实验室北京100029

对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不... 详细信息

对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下,观察到量子霍尔效应,shubnikov-de Haas(SdH)振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,说明引入AlN层可以有效减小合金散射,进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.

关键词： AlGaN/AlN/GaN结构二维电子气 shubnikov-de Haas振荡高电子迁移率晶体管

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负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

物理学报 2017年第24期66卷 211-216页

作者：沈丹萍张晓东孙艳康亭亭戴宁褚君浩俞国林东华大学理学院上海201620 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振... 详细信息

通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为–11.54.

关键词： HgCdTe shubnikov-de Haas振荡零场自旋分裂能

不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

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物理学报 2007年第8期56卷 4955-4959页

作者：高宏玲李东临周文政商丽燕王宝强朱战平曾一平中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

用shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率... 详细信息

用shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.

关键词：量子阱宽二维电子气 shubnikov-de Haas振荡高电子迁移率晶体管

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

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物理学报 2003年第11期52卷 2879-2882页

作者：仇志军蒋春萍桂永胜疏小舟郭少令褚君浩崔利杰曾一平朱战平王保强中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院半导体研究所北京100083

在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度... 详细信息

在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系 .结果表明 ,沟道中In组分为 0 6 5的样品 ,材料电学性能最好 ,In组分高于 0 6 5的样品 ,严重的晶格失配将产生位错 ,引起迁移率下降 ,大大影响材料和器件的性能 .

关键词：变缓冲层高迁移率晶体管 MM-HEMT材料量子振荡毫米波器件横向磁阻振荡 shubnikov-de Hass振荡微波电子学

Influence of the Magnetic Field on the Graphene Conductivity

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Journal of Modern Physics 2012年第9期3卷 994-1001页

作者： Sergey Viktorovich Kryuchkov Egor Ivanovich Kukhar Volgograd State Socio-Pedagogical University Volgograd Russia

The transversal conductivity of the gap-modification of the graphene was studied in the cases of weak nonquatizing and quantizing magnetic field. In the case of nonquantizing magnetic field the expression of the current density was derived from the Boltzmann equation. The dependence of conductivity and Hall conductivity on the magnetic field intensity was investigated. In the case of quantizing magnetic field the expression for the graphene transversal magnetoconductivity taking into account the scattering on the acoustic phonons was derived in the Born approximation. The graphene conductivity dependence on the magnetic field intensity was investigated. The graphene conductivity was shown to have the oscillations when the magnetic field intensity changes. The features of the shubnikov-de Haas oscillations in graphene superlattice are discussed.

关键词： Graphene Magnetoconductivity Magnetic Oscillations shubnikov-de Haaz Effect Graphene Superlattice