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Study on the spectral response of the schottky photodetector of GaN

Chinese Physics B 2006年第6期15卷 1325-1329页

作者：何政亢勇汤英文李雪方家熊 State Key Laboratory of Transducer Technology Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences Shanghai 200083 China Graduates School of Chinese Academy of Sciences Beijing 100039 China

The schottky photodetector was fabricated on GaN epilayers grown by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The spectral response of the schottky photodetector was characterized. A new model is proposed to interpret the characteristic of the spectral response curve of the schottky photodetectors by introducing a penetrating distance of an incident light at a certain wavelength in the current continuity equation and the interface recombination at the metal-semiconductor rectifying contact. The expressions for the spectral response of the schottky photodetector are deduced and used successfully to fit the experimental data.

关键词： spectral response schottky photodetector GaN

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