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resonant raman scattering in gan single crystals and gan-based heterostructures: feasibility for laser cooling

Chinese Optics Letters 2013年第1期11卷 63-71页

作者： Yujie J. Ding Jacob B. Khurgin Department of Electrical and Computer Engineering Lehigh University Department of Electrical and Computer Engineering The Johns Hopkins University

The recent progress on raman scattering in gan single crystals and gan/A1N heterostructures is re- viewed. Anti-Stokes raman scattering is used to determine electron-phonon scattering time and decay time constant for longitudinal-opticat phonons. In a typical high electron mobility transistor based on gan/A1N heterostructures, strong resonances are reached for the first-order and second-order raman scattering processes. Therefore, both Stokes and anti-Stokes raman intensities are dramatically enhanced. The feasibility for laser cooling of a nitride structure is studied. A further optimization will enable us to reach the threshold for laser cooling. raman scattering have potential applications in up-conversion lasers and laser cooling of nitride ultrafast electronic and optoelectronic devices.

关键词： gan Ra resonant raman scattering in gan single crystals and gan-based heterostructures feasibility for laser cooling

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