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Modification of gravitational redshift of x-ray burst produced by pulsar surface magnetoplasma
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Chinese Physics B 2008年 第1期17卷 356-361页
作者: 祝俊 季沛勇 Department of Physics Shanghai University
In this paper, the propagation of x-ray bursts in the magnetoplasma of pulsar magnetosphere is discussed. The electromagnetic interaction between x-ray bursts and magnetoplasma is described as some geometry. The elect... 详细信息
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On the Scaled Fractional Fourier Transformation Operator
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 513-516页
作者: 范洪义 胡利云 Department of Physics Shanghai Jiao Tong University Shanghai 200030
Based on our previous study [Chin. Phys. Lett. 24 (2007) 2238] in which the Fresnel operator corresponding to classical Fresnel transform was introduced, we derive the fractional Fourier transformation operator, and... 详细信息
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An All-Thin-Film Electrochromic Device Composed of MoO3-LiBSO-NiOx Multilayer Structure
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 740-742页
作者: 杨海刚 王聪 朱开贵 刁训刚 王怀义 崔毅 王天民 Center for Condensed Matter and Materials Physics School of Science Beihang University Beijing 100083
An all-thin-tilm (ATF) electrochromic device for modulating the optical transmittance is manufactured using magnetron sputtering. The devices consists of MoO3 as the main electrochromic layer, LiBO2 +Li2SO4 (LiBSO... 详细信息
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Single-Photon Emission from a Single InAs Quantum Dot
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 501-504页
作者: 窦秀明 孙宝权 黄杜松 倪海桥 牛智川 SKLSM Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences PO Box 912 Beijing 100083
Excitation power-dependent micro-photoluminescence spectra and photon-correlation measurement are used to study the optical properties and photon statistics of single InAs quantum dots. Exciton and biexciton emissions... 详细信息
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Design of Broadband Single Fundamental Mode Hollow Core Bragg Fibre
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 570-573页
作者: 林晨曦 张巍 黄翊东 彭江得 Department of Electronics Engineering Tsinghua University Beijing 100084
The condition of the single fundamental mode (HE11) transmission in hollow core Bragg fibres is investigated theoretically by the transfer matrix method. The influences of core size and cladding parameters on the si... 详细信息
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Negativity in the Extended Hubbard Model under External Magnetic Field
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Chinese Physics Letters 2008年 第1期25卷 31-34页
作者: 杨桢 宁文强 Department of Physics Fudan University Shanghai 200433 Department of Physics Chinese University of Hong Kong Hong Kong
We exactly calculate the negativity, a measurement of entanglement, in the two-site extended Hubbard model with external magnetic field. Its behaviour at different temperatures is presented. The negativity reduces wit... 详细信息
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Remote Preparation of Photon Polarization States within a Network
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Chinese Physics Letters 2008年 第1期25卷 20-23页
作者: 樊秋波 College of Mathematics and Physics Xuzhou Institute of Technology Xuzhou 221008
We propose a new linear optical protocol for remote state preparation (RSP) between two parties under control of a number of controllers in terms of optical elements. The realization of this protocol is appealing du... 详细信息
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Asymptotic Analysis of Vertical Branch-Cut Integral of Shear Waves in a Fluid-Filled Borehole Utilizing the Steepest-Descent Method
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 578-581页
作者: 姚桂锦 宋若龙 王克协 College of Communication Engineering Jilin University Changchun 130012 School of Physics Jilin University Changchun 130021
We obtain an asymptotic solution to the vertical branch-cut integral of shear waves excited by an impulsive pressure point source in a fluid-filled borehole, by taking the effect of the infinite singularity of the Han... 详细信息
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A Measure for Isotropy-Equilibrium Degree of a Multi-Particle System
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 447-450页
作者: 刘智春 李润泽 许明梅 刘连寿 College of Physical Science and Technology Huazhong Normal University Wuhan 430079
Aiming at using sphericity as a tool to study the isotropy-equilibrium property of a multi-particle system, in particular the hadronic final state IFS produced in instanton-induced DIS events, we discuss in detail the... 详细信息
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Minority Carrier Lifetime in As-Grown Germanium Doped Czochralski Silicon
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Chinese Physics Letters 2008年 第2期25卷 651-653页
作者: 朱鑫 杨德仁 李明 陈涛 汪雷 阙端麟 State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Material Science and Engineering Zhejiang University Hangzhou 310027
The minority carrier lifetime of as-grown germanium-doped Czochralski (GCZ) silicon wafers doped with germanium concentrations [Ge]=10^16-10^18 cm^-3 is investigated in comparison with conventional CZ silicon sample... 详细信息
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