检索结果-南通市图书馆

Improved rf power performance of InAlN/GaN HEMT by optimizing rapid thermal annealing process for high-performance low-voltage terminal applications

引用

Chinese Physics B 2023年第12期32卷 474-480页

作者：周雨威宓珉瀚王鹏飞龚灿陈怡霖陈治宏刘捷龙杨眉张濛朱青马晓华郝跃 School of Advanced Materials and Nanotechnology Xidian UniversityXi'an 710071China Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of MicroelectronicsXidian UniversityXi'an 710071China

Improved radio-frequency(rf)power performance of InAlN/GaN high electron mobility transistor(HEMT)is achieved by optimizing the rapid thermal annealing(RTA)process for high-performance low-voltage terminal *** optimizing the RTA temperature and time,the optimal annealing condition is found to enable low parasitic resistance and thus a high-performance ***,compared with the non-optimized RTA HEMT,the optimized one demonstrates smoother ohmic metal surface morphology and better heterojunction quality including the less degraded heterojunction sheet resistance and clearer heterojunction interfaces as well as negligible material out-diffusion from the barrier to the channel and *** from the lowered parasitic resistance,improved maximum output current density of 2279 mA·mm^(-1)and higher peak extrinsic transconductance of 526 mS·mm^(-1)are obtained for the optimized RTA *** addition,due to the superior heterojunction quality,the optimized HEMT shows reduced off-state leakage current of 7×10^(-3)mA·mm^(-1)and suppressed current collapse of only 4%,compared with those of 1×10^(-1)mA·mm^(-1)and 15%for the non-optimized *** 8 GHz and V_(DS)of 6 V,a significantly improved power-added efficiency of 62%and output power density of 0.71 W·mm^(-1)are achieved for the optimized HEMT,as the result of the improvement in output current,knee voltage,off-state leakage current,and current collapse,which reveals the tremendous advantage of the optimized RTA HEMT in high-performance low-voltage terminal applications.

关键词： InAlN/GaN rapid thermal annealing low voltage rf power performance terminal applications

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：