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检索条件"主题词=RF功率"
77 条 记 录,以下是1-10 订阅
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飞思卡尔面向中国TD-SCDMA无线网络推出rf功率系列产品———先进的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及复杂性
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半导体技术 2010年 第10期35卷 1043-1044页
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rf功率控制电路对电压幅度设定的要求
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电子与电脑 2005年 第4期5卷 55-56页
作者: James Caffrey 美国模拟器件公司
典型的现代通信信号链由发射部分和接收部分组成,这两个部分都需要rf(射频)功率监测和控制(如图1所示).通常将rf功率监测和自动增益控制(AGC)技术相结合利用与参考电压设定值相比较的方法来监测这两部分电路中的rf功率.接收端的信号监... 详细信息
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不断增强rf功率测量
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世界电子元器件 2006年 第3期 46-46,48,50,52页
作者: CARLOS CALVO ANTHONY MAZZEI 美国模拟器件公司
精确的rf功率管理是现代无线发射器的热点话题,从基站的功率放大器保护到移动应用中的延长电池使用时间,它都有很多的优点。rf功率监测器,比如对数放大器,允许rf功率测量系统在一个较宽的范围监控和动态调整发射功率。尽管近几年来... 详细信息
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飞思卡尔使用新型Airfast rf功率解决方案重新定义晶体管性能
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单片机与嵌入式系统应用 2011年 第11期11卷 82-83页
作者: 飞思卡尔半导体公司
过去,rf功率的性能完全取决于线性效率。如今,开发者遇到更加复杂的挑战:需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题,飞思卡尔半导体推出新型硅片rfLDMOS功率晶体管Airfast rf功率解决方案,将性能和能效提升至... 详细信息
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凭借第二代Airfast功放,飞思卡尔继续扩大rf领导地位 Airfast rf功率LDMOS器件打破了50%的Doherty效率瓶颈
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电子产品世界 2014年 第7期21卷 73-74页
rf功率行业的领导者飞思卡尔推出了第二代Airfast rf功率解决方案,为高级无线架构设备(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和TD-LTE应用)提供了全新级别的性能。
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ST推出两款新的防潮rf功率晶体管
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半导体信息 2014年 第1期 8-9页
作者: 郑畅
意法半导体推出两款新的防潮射频(rf,radio-frequency)功率晶体管,以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。这两款50VrfDMOS器件的封装腔内填充凝胶,以防止裸片发生电迁移现象,例如银枝晶迁移。这是标准陶瓷封装受高温。
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恩智浦LDMOS rf功率晶体管支持TD-LTE全频段应用
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半导体信息 2013年 第4期 16-17页
作者: 郑畅
中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告,此次集采涉及全国31个省市,采购规模约为20.7万个基站。与此同时,中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采,规模为20.65万部。业界普遍认为,受蜂窝网络部署的驱... 详细信息
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简单有效的rf功率参考
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电子制作 2012年 第11期20卷 44-46页
作者: 安德烈·达雷蒂 江山(编译) 意大利罗马大学 不详
一切都是从多年前我购买惠普432A功率表开始的。买过不久,我就觉得自己的热功率计不太对劲,所以又买了第二台,然后是第三台带有波导凸缘的热功率计。后来我又买了第二台惠普432。我用AD8307自制过两台功率表,跟着又用AD8362做了另... 详细信息
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飞思卡尔推出六款适用于TD-LTE基站的全新Airfast rf功率解决方案
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电子产品世界 2013年 第7期20卷 84-85页
功率射频(rf功率晶体管领域全球领导者飞思卡尔半导体公司日前推出六款新的Airfast rf功率解决方案,专为2.3/2.6GHz频段的TD-LTE基站设计。
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飞思卡尔推出6款适用于TD-LTE基站的全新Airfast rf功率解决方案
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单片机与嵌入式系统应用 2013年 第7期13卷 80-81页
作者: 飞思卡尔半导体公司 飞思卡尔半导体公司
功率射频(rf功率晶体管领域全球领导者飞思卡尔半导体公司推出6款新的Airfastrf功率解决方案,专为2.3/2.6GHz频段的TD—LTE基站设计。高吞吐量和支持大量并发用户的能力使2.3/2.6GHz成为全球LTE部署的首选频段。去年年底,... 详细信息
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