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A Study of Microstructures in Helium-implanted 4H-SiC by rbs-channeling and TEM
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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2002年 第1期 61-62页
作者： ZhangChonghong SunYoumei SongYing DuanJinglai T.Shibayama K.Sakaguchi H.Takahashi ShenDingyu 不详 LaboratoryforUltra-functlonalMaterials CenterforAdvancedResearchofEnergyTechnologyHokkaidoUniversitySapporoJapan. MOEKeyLaboratoryofHeavyIonPhysics PekingUniversityBeijing.
Silicon carbide is a technologically important material due to its superior mechanical and electronic properties. The understanding of defect production in helium-implanted silicon carbide is important for the vise of... 详细信息
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