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核技术 2022年第1期45卷 37-43页

作者：马函孙静何承发荀明珠中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,radfets)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中... 详细信息

针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,radfets)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法(Mid-gap Technique,MGT)和电荷泵法(Charge Pumping,CP)对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷进行了分离,结合Geant4工具包仿真质子在氧化层中初级反冲原子(Primary Knock-on Atom,PKA)的产生过程,对radfets质子与(60)^Coγ辐射响应差异的微观机理进行了探讨。研究结果表明:radfets对质子的剂量响应较少,但质子辐照会在radfets中引入位移损伤,加剧其邻近界面处的陷阱电荷对测量结果的影响。因此radfets在空间应用时,有必要使用质子电子的通量模型对测量数据进行修正或设计特定的标定方案。

关键词： radfets 质子辐照 γ剂量标定陷阱电荷分离

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高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究

引用

原子能科学技术 2021年第12期55卷 2175-2182页

作者：马函孙静何承发荀明珠中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(radfets)在高温下的辐照响应。实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si)。采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分... 详细信息

通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(radfets)在高温下的辐照响应。实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si)。采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分离,对高温下辐照响应的微观机理进行了分析。氧化物陷阱电荷的退火作用是导致非线性响应的主要原因。不同氧化层厚度的氧化物陷阱电荷密度差异很大,高温下100 nm和400 nm radfets的界面态陷阱电荷密度差异较小。最后讨论了高温下不同栅氧厚度radfets的适用性,为高温环境下radfets的应用提供了参考。

关键词：高温环境 radfets 辐照响应

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