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pulsed-laser annealing of NiTi Shape Memory Alloy Thin Film

Journal of Materials Science & Technology 2009年第1期25卷 135-140页

作者： S.K. Sadrnezhaad E. Rezvani S. Sanjabi A.A. Ziaei Moayed Materials and Energy Research Center P.O. Box 14155-4777 Tehran Iran Department of Materials Science and Engineering Sharif University of Technology P.O. Box 1156-9466 Tehran Iran Department of Materials Science and Engineering Tarbiat Modarres University P.O. Box 14115-143 Tehran Iran

Local annealing of amorphous NiTi thin films was performed by using an Nd：YAG 1064 nm wavelength pulsed laser beam. Raw samples produced by simultaneous sputter deposition from elemental Ni and Ti targets onto unheated Si （100） and Silica （111） substrates were used for annealing. Delicate treatment with 15.92 W/mm^2 power density resulted in crystallization of small spots; while 16.52 and 17.51 W/mm^2 power densities caused ablation of the amorphous layer. Optical microscopy, scanning electron microscopy, X-ray diffraction and atomic force microscopy were performed to characterize the microstructure and surface morphology of the amorphous/crystallized spot patterns.

关键词： Local heat treatment NiTi thin film pulsed laser annealing Amorphous/crystallized spot composite

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Characterization of Si1-x-yGexCy/Si films grown by RF cosputtering deposition and pulsed laser annealing

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引用

International Symposium of Young Scholars on Mechanics and Material Engineering for Science and Experiments

作者： Xueqin Liu Yinyue Wang Congmian Zhen Suyi Ma Yinghu Yang Department of Physics Lanzhou University Lanzhou 730000 China Department of Physics Lanzhou University Lanzhou 730000 China

ISBN: (纸本)1880132796

＜正＞ Si1-x-yGexCy ternary alloy films were grown on monocrystalline silicon substrates by radio frequency （RF） co-sputtering deposition and subsequent KrF pulsed laser annealing. The properties of the alloy layers were determined using Rutherford backscattering （RBS）, Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR） and temperature dependence Hall effect measurements. Upon laser annealing at energy densities 1J/cm2 and with two laser shots, a certain amount of C was incorporated into substitutional sites and no SiC was observed. The incorporation of carbon can form deep level centers.

关键词： Si1-x-yGexCy films RF co-sputtering pulsed laser annealing

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