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Enhancement of post-annealing stability in Co/Ni multilayers with perpendicular magnetic anisotropy by Au insertion layers

引用

Rare Metals 2016年第10期35卷 779-783页

作者： Yi Cao Ming-Hua Li Kang Yang Xi Chen Guang Yang Qian-Qian Liu Guang-Hua Yu School of Materials Science and Engineering University of Science and Technology Beijing

Enhancement of post-annealing stability in Co/ Ni multilayers with perpendicular magnetic anisotropy （PMA） was obtained by inserting Au layers into Ni/Co interfaces. After annealing at 350 ℃, the effective mag- netic anisotropy density （Kef0 for Ta（3）/Pt（2）/[Co（0.3）/ Ni（0.6）/Au（0.3）]× 3/Co（0.3）/Pt（1）/Ta（3）（in nm） keeps at 0.48 × 105 J·m^-3. Scanning transmission electron micro- scopy-high-angle annular dark field （STEM-HAADF） analysis shows that the diffusion between Ni and Co layers is obstructed by the Au insertion layers among them, which is responsible for the post-annealing stability enhancement of the multilayers. Multilayers with Pt insertion layers were also investigated as reference samples in this work. Com- pared with Pt-layer-inserted Co/Ni multilayers, the Au insertion layers are found to bring seldom interfacial PMA to the multilayers, making it competitive in being employed to enhance the post-annealing stability of PMA Co/Ni multilayers which are used for magnetic random access memory devices （MRAM）.

关键词： Co/Ni multilayers Perpendicular magnetic anisotropy post-annealing stability Au insertion layers

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