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高度取向的(Pb0.5Sr0.5)TiO3/LaNiO3异质结构铁电薄膜性能

功能材料与器件学报 2010年第4期16卷 316-322页

作者：程铁栋杨丽荣唐新桂易见兵江西理工大学机电学院赣州广东工业大学物理与光电工程学院广州

用sol-gel方法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了具有LaN iO3（LNO）缓冲层的（Pb0.5Sr0.5）TiO3（PSrT50）/LNO/Pt异质结构铁电薄膜。X射线分析发现PSrT50薄膜在（100）方向高度取向,同时扫描电镜图像显示薄膜结构致密、表面... 详细信息

用sol-gel方法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了具有LaN iO3（LNO）缓冲层的（Pb0.5Sr0.5）TiO3（PSrT50）/LNO/Pt异质结构铁电薄膜。X射线分析发现PSrT50薄膜在（100）方向高度取向,同时扫描电镜图像显示薄膜结构致密、表面平整。通过和直接在Pt上制备的、相同厚度的PSrT50薄膜比较,PSrT50/LNO/Pt结构薄膜在室温下具有更大的剩余极化（Pr=4.5μC/cm2）和更高的介电常数（rε=850）。同时,漏电流机理分析表明,PSrT50/LNO/Pt结构薄膜在低电场作用下呈现pool-frenkel发射效应,在高电场作用下则表现为空间电荷限制电流。

关键词： PSrT50薄膜介电常数漏电流 pool-frenkel发射

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