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Thin Film Characterization Using Rotating polarizer analyzer Ellipsometer with a Speed Ratio 1:3

Journal of Electromagnetic Analysis and Applications 2011年第9期3卷 351-358页

作者： Sofyan A. Taya Taher M. El-Agez Anas A. Alkanoo 不详

In a recent previous work, we proposed a rotating polarizer-analyzer ellipsometer (RPAE) in which the two elements are rotating synchronously in the same direction with a speed ratio 1:3. We applied this technique to bulk samples. In this work, we present theoretically the characterization of 100 nm SiO2 thin film using this spectroscopic RPAE. We assume a structure consisting of air (ambient)/SiO2 (thin film)/c-Si (substrate). The ellipsometric parameters ψ and Δ are calculated when a clean signal is received by the detector and when a hypothetical noise is imposed on this signal. The film thickness and the optical constants of the film are calculated for the noisy signal in the spectrum range 200 - 800 nm. The results are compared with the proposed thickness and with the accepted values for SiO2 optical constants.

关键词： Ellipsometry Rotating polarizer-analyzer Ellipsometer Thin Film Characterization Optical Constants C-Si SiO2

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