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Photoelectronic properties and devices of 2D Xenes

Journal of Materials Science & Technology 2022年第31期126卷 44-59页

作者： Shiqi Li Guoyi Huang Yiding Jia Bing Wang Hongcheng Wang Han Zhang School of Electrical Engineering and Intelligentization Dongguan University of TechnologyDongguan 523808China College of Physics and Optoelectronic Engineering Shenzhen UniversityShenzhen 518060China

Two-dimensional materials,especially graphene-like emerging single-element materials two-dimensional(2D)Xenes,have attracted great research interest since the advent of the *** this review paper,12 kinds of different Xenes were introduced according to the group and element quality,and their main synthesis methods are *** advantages and limitations of the synthesis methods are analyzed in *** summarizing the current photoelectronic properties of 2D Xenes materials,it is found that Xenes in the same group have similar properties,such as the buckling properties of the fourth group and the anisotropy of the fifth *** addition,the performance of photoelectronic applications based on 2D Xenes materials are summarized,and some possible methods are proposed to improve the perfor-mance of future 2D Xenes material photoelectronic devices.

关键词： 2D materials 2D Xenes Photoelectric properties phtoelectronic

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