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检索条件"主题词=Phase-change material"
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排序:
Reactive ion etching of Si_2Sb_2Te_5 in CF_4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2013年 第5期34卷 126-130页
作者: 李俊焘 刘波 宋志棠 姚栋宁 冯高明 何敖东 彭程 封松林 State Key Laboratory of Functional materials for Informatics Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of Sciences University of Chinese Academy of Sciences United Laboratory Semiconductor Manufacturing International Corporation
phase change random access memory (PCRAM) is one of the best candidates for next generation non- volatile memory, and phase change SiESbETe5 material is expected to be a promising material for PCRAM. In the fabricat... 详细信息
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Research of Thermal Energy Storage Technology in the Solar Thermodynamic Power
收藏 引用
Journal of Power and Energy Engineering 2016年 第7期4卷 42-49页
作者: Yueru Zhang North China Electric Power University Beijing China
Recently, although renewable energy has a great development, primary source is still thermal power generation, which uses fossil fuel as the energy source. Supply and demand of fossil fuel are essential for social and... 详细信息
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