检索结果-南通市图书馆

压电与声光 1991年第2期13卷 77-82,86页

作者： T.Takahashi 张传忠日本东芝公司

钛酸铅(pbtio_3)是居里温度为490℃的钙钛矿型铁电材料。预期其可成为高频段的有用的压电材料。然而用常规技术制备的纯pbtio_3陶瓷太疏松而易碎。此外,因为其轴向比率大而使其矫顽场非常大,所以这种陶瓷很难充分地极化。为了解决这... 详细信息

钛酸铅(pbtio_3)是居里温度为490℃的钙钛矿型铁电材料。预期其可成为高频段的有用的压电材料。然而用常规技术制备的纯pbtio_3陶瓷太疏松而易碎。此外,因为其轴向比率大而使其矫顽场非常大,所以这种陶瓷很难充分地极化。为了解决这些问题,已做了许多尝试。池上等人成功地获得了含MnO_2和La_2O_3的致密陶瓷,并在200℃下以60—80kV/cm电场极化。

关键词：压电材料 pbtio3陶瓷陶瓷

Nd_2O_3改性pbtio_3陶瓷性能的研究

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中国稀土学报 1997年第2期15卷 126-129页

作者：王成建肖鸣山张承琚兰建胜山东大学物理系

通过添加少量的Ｎｄ２Ｏ３可以改善ＰｂＴｉＯ３陶瓷的性能。这种性能的改善是与用Ｎｄ２Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的显微结构和导电机制密切相关的。本文研究了Ｎｄ２Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的性能参数。

关键词：钕 pbtio3陶瓷结构钛酸铝陶瓷导电性

pbtio_3陶瓷的性能及其用于扇扫探头的探讨

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声学技术 1996年第1期15卷 44-45页

作者：王雨初上海市第六人民医院 200433

（Pb，Nd）（Ti，Mn，In）O_3陶瓷的微波介电性质

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压电与声光 1994年第1期16卷 37-39页

作者：肖鸣山牛绪先张子清山东大学物理系

近年来，越来越多的具有高介电常数和低介质损耗的陶瓷介质用于微波领域。（Ｐｂ，Ｎｄ）（Ｔｉ．Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷是一种新型的微波介质材料。在本文中，作者致力于（Ｐｂ．Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷的微波介电性质... 详细信息

近年来，越来越多的具有高介电常数和低介质损耗的陶瓷介质用于微波领域。（Ｐｂ，Ｎｄ）（Ｔｉ．Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷是一种新型的微波介质材料。在本文中，作者致力于（Ｐｂ．Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷的微波介电性质的研究，并且讨论了Ｍｎ含量对微波介电性质的影响。

关键词：介电常数介质损耗 pbtio3陶瓷

Relaxor behavior of (1-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xpbtio_3 ceramics

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Chinese Science Bulletin 2009年第7期54卷 1267-1274页

作者： WU NingNing SONG XueMei HOU YuDong ZHU ManKang WANG Chao YAN Hui Key Laboratory of Advanced Functional Materials of the Ministry of Education Beijing University of Technology Beijing 100124 China

In the present work, the phase transitions and relaxor behavior of (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xpbtio3 (PMN-PT, x = 0.2―0.4) ferroelectric ceramics have been investigated by means of X-ray diffraction, di-electric spectroscopy, the P-E hysteresis loop measurements and Raman scattering techniques. Structural analysis revealed that with the increase of pbtio3 content, PMN-PT ceramics experienced a gradual phase transition process from rhombohedral to tetragonal. It is usually believed that such kinds of phase transitions resulted in the linear decrease of relaxation degree. Surprisingly, our analysis of the dielectric spectra revealed that the indicator of the degree of diffuseness γ reached the maximum value near morphotropic phase boundary (MPB) (x = 0.32), then decreased with the further increase of pbtio3 content. The large dielectric relaxor feature near MPB may be attributed to the for-mation of ordered nanodomains, resulting from complex coexisting nanostructures. Further, the P-E hysteresis loop measurements and Raman analysis of the B-site cation order correlated well with the dielectric measurement results. It was found that the hysteresis loop squareness Rsq received the minimum value while the inverse of the value of full wide of half maximum (FWHM) of A1g mode reached the maximum value at MPB composition, which showed similar trends to γ.

关键词： pbtio3陶瓷弛豫行为铅含量磁滞回线测量中性粒细胞铁电陶瓷材料 Raman 细胞疗法