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Facile sensitizing of pbse film for near-infrared photodetector by microwave plasma processing

Chinese Physics B 2022年第3期31卷 613-618页

作者： Kangyi Zhao Shuanglong Feng Chan Yang Jun Shen Yongqi Fu School of Physics University of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu 610054China Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology Chinese Academy of SciencesChongqing 400714China

High quality pbse film was first fabricated by a thermal evaporation method, and then the effect of plasma sensitization on the pbse film was systemically investigated. Typical detectivity and significant photosensitivity are achieved in the pbse-based photodetector, reaching maximum values of 7.6 × 10^(9)cm·Hz^(1/2)/W and 1.723 A/W, respectively. Compared with thermal annealing, plasma sensitization makes the sensitization easier and significantly improves the performance.

关键词： pbse film infrared photodetector plasma processing

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