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CHARACTERISTICS OF AES AND XPS FOR AMMONIUM SULFIDE ON GaAs BY ELECTRON BEAM ENHANCED passivation treatment
CHARACTERISTICS OF AES AND XPS FOR AMMONIUM SULFIDE ON GaAs ...
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The Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology
作者： WANG HAI DU YUANCHENG SUN DIESHI LI FUMINGDept.of Electronic Eng Tri - beams open lab and Dept.of Pkysics Shanghai 200433 Fudan University CHINA
＜正＞ IntroductionRecently,there is a great interests of chemical passivation treatment on GaAs surface which will result in many improvement in III-V compound semiconductor devices performances, and the interface pr... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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