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Structure and electrical properties of PZT/LNO/pt multilayer films on stainless steel substrates

Rare Metals 2012年第3期31卷 272-275页

作者： Zhao, Xuelian Jiang, Dan Yu, Shengwen Cheng, Jinrong School of Materials Science and Engineering Shanghai University Shanghai 200072 China

PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) ferroelectric thin films were deposited on LaNiO3 (LNO) by sol-gel method. The PbTiO3 (pt) seed layer was depos-ited between the LNO buffer layer and stainless steel (SS) substrate, which effectively decreased the annealing temperature of LNO layer from 750 C to 650 C. X-ray diffraction (XRD) reveals that LNO layers with pt layer crystallize into a perovskite phase on annealing at 650 C for 10 min. PZT deposited on LNO buffer layer with pt seed layer exhibits good ferroelectric property.

关键词： pt seed layer LNO PZT ferroelectric thin films

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