检索结果-南通市图书馆

单片式ZnO/Si pn结二极管存储相关器/卷积器

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压电与声光 1989年第5期11卷 1-5页

作者：周子新杨龙其杨宏伟谢兵何世平曹光军四川压电与声光技术研究所东南大学

本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,... 详细信息

本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。

关键词：声表面波器件 pn结二极管存储器

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pn结二极管计算机数值模拟研究

实验科学与技术 2004年第3期2卷 10-12页

作者：刘波程煜李立萍电子科技大学成都610054

本文研究pn结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起pn结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解pn结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值... 详细信息

本文研究pn结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起pn结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解pn结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值分析打下基础。

关键词：高功率微波 pn结二极管一维瞬态过程模拟 FlexPDE

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6H-SiC高反压台面pn结二极管

Journal of Semiconductors 2001年第4期22卷 507-510页

作者：王姝睿刘忠立李晋闽王良臣徐萍中国科学院半导体研究所北京100083

在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二... 详细信息

在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二极管在室温、空气介质中 ,- 10 V时 ,漏电流密度为 2 .4× 10 - 8A/cm2 ,在反向电压低于 6 0 0 V及接近30 0℃高温下都具有良好的整流特性 .

关键词：碳化硅 pn结二极管 6H-Sic

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pn结二极管教学过程中的课程思政

高教学刊 2021年第13期7卷 177-180页

作者：陈新武仓玉萍涂友超张晓丽王鹏张昆陈天歌信阳师范学院物理电子工程学院河南信阳464000

为了更好地践行立德树人的社会主义教育观,文章以pn结二极管教学内容为例,探讨了在本部分教学过程中如何挖掘课程思政元素,主要包括:科技强国的责任感培养、矛盾多样性的认识与应用、量变质变规律、创业激励、大国工匠精神五个方面。

关键词：课程思政 pn结二极管模拟电子技术基础思政元素立德树人

利用I-V正向特性提取pn二极管主要参数的研究

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电子器件 2002年第1期25卷 27-28页

作者：丁扣宝潘骏浙江大学西溪校区信息与电子工程学系杭州310028 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 pn结二极管参数的方法。与通常使用的 pn结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 pn结二... 详细信息

研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 pn结二极管参数的方法。与通常使用的 pn结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 pn结二极管的主要参数 :反向饱和电流 ,串联电阻 ,发射系数以及并联电导。结果表明 ,该方法简便。

关键词： pn结二极管 I-V正向特性参数提取

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基于遗传算法提取pn二极管主要参数的研究

芜湖职业技术学院学报 2010年第2期12卷 38-39页

作者：朱文武包广华安徽机电职业技术学院安徽芜湖241000

遗传算法是一种新兴的演化算法,计算方法简便,收敛速度快,收敛准确。它被用来估计二极管参数。实验结果表明遗传算法是估计二极管参数的新方法。

关键词：遗传算法 pn结二极管参数提取

非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列电压温度系数的分析与优化（英文）

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微纳电子技术 2018年第9期55卷 617-624页

作者：张强刘瑞文吕文龙侯影魏德波刘超薛惠琼傅剑宇王玮冰中国科学院微电子研究所智能感知研究发展中心北京100029 中国科学院物联网研究发展中心江苏无锡214028 中国科学院大学北京100049 昆山光微电子有限公司江苏昆山215325

灵敏度是非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列（IRFPA）的一项重要性能指标。二极管结构的电压温度系数（VTC）对灵敏度有很大的影响。分析了二极管结构的设计参数和工艺参数对其电压温度系数的影响,仿真结果表明二极管的串联个数和pn结... 详细信息

灵敏度是非制冷热敏二极管型红外焦平面阵列（IRFPA）的一项重要性能指标。二极管结构的电压温度系数（VTC）对灵敏度有很大的影响。分析了二极管结构的设计参数和工艺参数对其电压温度系数的影响,仿真结果表明二极管的串联个数和pn结结面积是两项重要因素。因此,设计出6个串联＂阱＂形pn结的二极管结构,并对具有该结构的热敏二极管型红外焦平面阵列进行了流片。测试结果表明,在10μA正向偏置电流下,二极管结构的电压温度系数为8.2 mV/K,单个像素的灵敏度为19.1μV/K。不同结面积结构的测试结果表明,增加结面积能有效提升二极管结构的电压温度系数和灵敏度。

关键词：电压温度系数(VTC) pn结二极管红外焦平面阵列(IRFPA) 灵敏度微电子机械系统(MEMS)

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电磁辐射对微带线干扰的数值模拟研究

电磁辐射对微带线干扰的数值模拟研究

作者：张志刚四川大学

学位级别：硕士

随着电子技术的发展,电子设备的广泛应用,电磁环境日益复杂。研究电子设备对外界的辐射情况以及复杂电磁环境作用下设备的工作状态是电磁兼容学科中的重要内容。处在辐射形成的瞬变电磁场中的金属体,都会在其表面产生感应电流。本文从... 详细信息

随着电子技术的发展,电子设备的广泛应用,电磁环境日益复杂。研究电子设备对外界的辐射情况以及复杂电磁环境作用下设备的工作状态是电磁兼容学科中的重要内容。处在辐射形成的瞬变电磁场中的金属体,都会在其表面产生感应电流。本文从场的角度出发,研究了外界电磁辐射对微带线造成的影响。本文基于场的观点,应用时域有限差分法(Finite-DifferenceTime-Domain Method)分析了不同电磁辐射激励对微带线的干扰和影响,得到了不同辐射条件下微带线的响应特性。这对于电磁兼容设计中进行干扰的有效抑制,简化模型分析过程都有重要意义。在模拟过程中,本文对模型建立、端口设置、激励源设置方法进行了细致深入的研究,给出了终端为短路、匹配、开路三种情况时的有效解决方法。在正弦平面波和高斯脉冲对微带线干扰的仿真中,本文模拟了不同角度入射情况下微带线终端短路、开路、匹配时的感应电压和电流的时域和频域响应特性。正弦激励作用下,电场平行极化时,随着入射角度的增大,感应电流不断增大。高斯脉冲干扰时,微带线感应电压、电流的时域和频域特性随入射角度而变化。垂直入射时,脉冲对微带线干扰最强。在终端短路或开路时,高斯脉冲作用下的微带线分别在一些频点处响应最大,产生谐振效应。本文还比较分析了两条导带距离较近的耦合微带线与对应的宽导带微带线感应电压、电流响应关系,结果表明两种情况下电压和电流响应特性基本相同。 pn结是电子系统的构成基础,电磁辐射干扰将最终作用到pn结上。本文结合非耦合数值方法,通过求解半导体方程对pn结二极管进行模拟分析,得到了一些重要物理参量分布,这为深入研究电磁辐射对半导体元件的干扰奠定了基础。

关键词：电磁兼容时域有限差分微带线 pn结二极管数值模拟

MATLAB在半导体物理与器件实践教学中的应用

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科学咨询(教育科研) 2014年第8期 6-7页

作者：苏萍重庆理工大学光电信息学院

介绍了利用Matlab软件绘图功能对半导体物理与器件中pn结二极管电流与温度关系进行仿真模拟的过程。这种方法简单准确且易于实现,可使学生对在完成此仿真模拟过程后对物理规律有更深的印象,并对其中涉及的相关知识点都有了更加深刻的理... 详细信息

介绍了利用Matlab软件绘图功能对半导体物理与器件中pn结二极管电流与温度关系进行仿真模拟的过程。这种方法简单准确且易于实现,可使学生对在完成此仿真模拟过程后对物理规律有更深的印象,并对其中涉及的相关知识点都有了更加深刻的理解和掌握。同时,可极大地调动学生学习的主动性,提高学生的实际动手能力和创新能力,也有利于培养学生利用专业软件分析问题、解决问题的实践能力。

关键词： MATLAB 半导体物理与器件 pn结二极管电流温度