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低能量pld方法沉积的a-C薄膜结构及光学性能研究

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湘潭大学自然科学学报 2001年第2期23卷 42-46页

作者：杨益民郭建王金斌杨国伟湘潭大学物理系湖南湘潭411105

用低能量脉冲激光沉积 (pld)方法在单晶硅片、石英玻璃片、载玻片等基底材料上分别沉积了一层碳膜 .X射线衍射谱证明碳膜为非晶态 ,喇曼散射实验表明膜无明显类金刚石特征 ,紫外 -可见分光光度计测试结果表明 :膜在紫外、可见光区折射... 详细信息

用低能量脉冲激光沉积 (pld)方法在单晶硅片、石英玻璃片、载玻片等基底材料上分别沉积了一层碳膜 .X射线衍射谱证明碳膜为非晶态 ,喇曼散射实验表明膜无明显类金刚石特征 ,紫外 -可见分光光度计测试结果表明 :膜在紫外、可见光区折射率低于石英、玻璃等材料 ,红外透过率谱显示膜在红外区有宽范围、显著增透作用 .

关键词：脉冲激光沉积 a-C薄膜 pld方法 DLC膜类金刚石碳膜薄膜结构光学性能

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用pld方法制备Li掺杂的p型ZnMgO

Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 326-328页

作者：仇明侠叶志镇顾修全何海平朱丽萍浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

在玻璃衬底上用pld方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3,电... 详细信息

在玻璃衬底上用pld方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3,电阻率为6.58Ω·cm,霍尔迁移率为0.189cm2/(V·s),且制备出的薄膜在可见光区具有90%的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625eV.

关键词： Li掺杂 pld方法 p型ZnMgO

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多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究

压电与声光 1997年第6期19卷 398-404页

作者：李兴教黄新堂赵建洪郑远开董晓敏李再光王新兵李少平华中理工大学固体电子学系华中理工大学激光技术国家重点实验室美国伊利诺斯州阿贡国家实验室

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特... 详细信息

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。

关键词：多层铁电薄膜 pld方法 I-V特性曲线铁电体

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激光制备多层薄膜及铁电性能的研究

压电与声光 1997年第1期19卷 54-56,60页

作者：李兴教赵建洪安承武李再光李少平华中理工大学固体电子学系华中理工大学激光技术国家重点实验室

利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔ... 详细信息

利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明，单层ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为４ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度为３．４μＣ／ｃｍ２；ＰＺＴ／ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为８２ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为３６μＣ／ｃｍ２；ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ夹层铁电薄膜的矫顽场Ｅｃ为５７ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为２９μＣ／ｃｍ２。

关键词： pld方法铁电薄膜铁电性能

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激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究

压电与声光 1997年第3期19卷 192-195页

作者：李兴教赵建洪安承武李再光李少平华中理工大学固体电子学系华中理工大学激光技术国家实验室

采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持... 详细信息

采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性。

关键词：多层铁电薄膜电容保持特性 pld方法激光技术

在密封和半密封容器内生长Tl_2Ba_2CaCu_2O_x高温超导薄膜的研究

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低温与超导 2004年第2期32卷 43-46页

作者：伊长虹胡芳仁张庆刚李洁陈莺飞郑东宁中国科学院物理研究所超导国家重点实验室北京100080 山东师范大学物理与电子科学学院济南250014

以铝酸镧 (0 0 1)单晶为基片 ,采用两步法在两种密封条件下制备 Tl2 Ba2 Ca Cu2 Ox(Tl- 2 2 12 )高温超导薄膜。首先利用脉冲激光沉积 (PL D)工艺沉积非晶 Ba2 Ca Cu2 Ox 前驱体薄膜 ;然后前驱体薄膜分别在半密封的氧化铝坩埚和密封的... 详细信息

以铝酸镧 (0 0 1)单晶为基片 ,采用两步法在两种密封条件下制备 Tl2 Ba2 Ca Cu2 Ox(Tl- 2 2 12 )高温超导薄膜。首先利用脉冲激光沉积 (PL D)工艺沉积非晶 Ba2 Ca Cu2 Ox 前驱体薄膜 ;然后前驱体薄膜分别在半密封的氧化铝坩埚和密封的高温钢容器内铊化、结晶形成 Tl- 2 2 12薄膜。在两种密封条件下 ,都可以制备出纯相的 Tl- 2 2 12超导薄膜。但是 ,在坩埚内制备的 Tl- 2 2 12薄膜的 TCo和

关键词： Tl-2212 铊化高温超导薄膜 pld方法 T12Ba2CaCu2Ox 脉冲激光沉积

p型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备与物性研究

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p型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备与物性研究

作者：赵凡贵哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

透明导电氧化物(TCO)具有高的电导率,同时在可见光范围内透明度高,因此通过施主掺杂的In2O3,ZnO和SnO2等TCO材料已广泛应用于平板显示器、太阳能电池的透明电极,以及透明薄膜晶体管和薄膜光电器件。其电导率约达到了104 S/cm量级,但上... 详细信息

透明导电氧化物(TCO)具有高的电导率,同时在可见光范围内透明度高,因此通过施主掺杂的In2O3,ZnO和SnO2等TCO材料已广泛应用于平板显示器、太阳能电池的透明电极,以及透明薄膜晶体管和薄膜光电器件。其电导率约达到了104 S/cm量级,但上述材料均为n型导电材料,而p型透明导电氧化物材料非常少,且其电导率与n型TCO材料相比低3-4个数量级,因此难以实现以p-n为基本结构的器件的实际应用。1997年日本的Kawazoe教授首次利用pld方法制备出了具有铜铁矿结构的p型透明导电的CuAlO2薄膜,较显著的提高了薄膜的电导率,这一成果推动了p型透明导电氧化物材料的发展。如何进一步提高材料的p型电导率,改善其性质的重复性成为人们关注的重要研究方向。我们对不同掺杂状态的CuAlO2陶瓷的制备及其性质进行了研究,并利用不同的方法对CuAlO2薄膜的制备与性质做了初步探索。研究中我们用Cu2O、Al2O3粉末,通过传统的固相反应法制备陶瓷样品。XRD结构分析显示未掺杂CuAlO2靶材的所有的衍射峰都来自于CuAlO2相,属于R-3m空间群,并没有发现来自CuAl2O4、Cu2O和Al2O3相的衍射峰。然后通过掺杂将二价金属元素如Mg2+、Ca2+引入到CuAlO2结构中,XRD结构分析显示Mg2+、Ca2+取代了CuAlO2结构中的三价金属阳离子Al3+。利用双电测四探针测试仪研究了陶瓷样品的电导率,结果表明其电导率相比未掺杂CuAlO2样品明显提高,其中1%CaO和1%MgO掺杂CuAlO2靶材电导率提高了一个数量级。此外通过掺杂实现了CuAlO2结构中Sc3+对Al3+的取代,霍尔系数是正值说明Sc掺杂的CuAlO2陶瓷是p型半导体材料,随掺杂比例提高载流子迁移率降低,而载流子浓度先升高后降低,在二者共同影响下电导率先升高后降低。利用pld方法在蓝宝石衬底上成功制备出了CuAlO2薄膜,薄膜XRD结构分析表明主要是CuAlO2相,且(110)面取向的峰较强。通过对比不同衬底温度、不同氧气氛气压下薄膜的XRD图发现,衬底温度高于500 oC、无氧气条件时,更有利CuAlO2薄膜成相。使用紫外-可见分光光度计研究了薄膜的透射谱,对比透射谱发现高氧气压条件下薄膜的透射率高,因此选择适当的氧分压是制备该类材料薄膜的重要条件。利用磁控溅射方法在蓝宝石衬底上制备出了CuAlO2薄膜。研究了衬底温度和氧气分压对薄膜结构的影响,通过对比不同衬底温度和氧气分压下薄膜的XRD图,发现温度低于600 oC、无氧条件更有利CuAlO2薄膜成相,且薄膜显示出强的(006)取向。用SEM表征了薄膜的表面形貌,结果表明薄膜表面平滑,颗粒径在80到120 nm之间,在400-1500 nm的波段薄膜的平均透射率达到80%,拟合得到直接带隙为3.81eV。

关键词：陶瓷电导率 CuAlO2薄膜透射光谱 pld方法磁控溅射方法

Improved electrical and magnetic transport properties of La(0.8)Ba(0.2)MnO3 thin films by oxygen annealing

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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2016年第7期59卷 88-89页

作者： XiaoXia Chen GuoZhen Liu Xia Zhu Jie Qiu JinLei Yao Meng Zhao YuCheng Jiang Run Zhao Ju Gao Research Center for Solid State Physics and Materials School of Mathematics and Physics Suzhou University of Science and Technology Suzhou 215009 China

Dear Editors, The properties of mixed-valence manganites are sensmve to the synthesis conditions [ 1 ]. For oxide films grown by pulsed laser deposition （pld）, the physical properties are affected obviously by the growth oxygen pressure and annealing treat- ment [2-5]. Using the pld method, manganite oxides are usually grown at different oxygen pressures to investigate the effects of oxygen content on their properties. However,

关键词：氧化物薄膜锰氧化物输运性质退火处理 pld方法脉冲激光沉积合成条件混合价态