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一种基于pin二极管的可重构极化转换器

一种基于PIN二极管的可重构极化转换器

2021年全国天线年会

作者：闫星岩席延姜文西安电子科技大学天线与微波技术重点实验室

本研究提出了一种基于pin二极管的功能可重构超表面,通过切换pin二极管的状态,单元在半波片和四分之一波片之间切换可以实现不同的功能。当pin二极管处于截止状态时,单元结构表现为半波片,可以在3.09～7.19 GHz(7 9.8%)上实现线极化转... 详细信息

本研究提出了一种基于pin二极管的功能可重构超表面,通过切换pin二极管的状态,单元在半波片和四分之一波片之间切换可以实现不同的功能。当pin二极管处于截止状态时,单元结构表现为半波片,可以在3.09～7.19 GHz(7 9.8%)上实现线极化转线极化,极化转换率(Polarization Conversion Ratio,PCR)大于0.88;当pin二极管处于导通状态时,可以在4.6～7 GHz(44.4%)上实现线极化转圆极化。

关键词：可重构 pin二极管半波片四分之一波片极化转换

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运算放大器:驱动pin二极管替代方案

今日电子 2010年第12期 27-31页

作者： John Ardizzoni ADI公司

开关电路中，每个pin二极管都有附随的pin二极管驱动器或开关驱动器，用来提供受控正向偏置电流、反向偏置电压以及控制信号（通常是一个数字逻辑命令）与一个或多个pin二极管之间的激活接口。根据应用需要，可以采用分立设计或专门IC... 详细信息

开关电路中，每个pin二极管都有附随的pin二极管驱动器或开关驱动器，用来提供受控正向偏置电流、反向偏置电压以及控制信号（通常是一个数字逻辑命令）与一个或多个pin二极管之间的激活接口。根据应用需要，可以采用分立设计或专门IC实现这种驱动器功能。

关键词： pin二极管二极管驱动器运算放大器开关电路偏置电流数字逻辑控制信号偏置电压

异质结AlGaAs/GaAs pin二极管毫米波开关优化设计及其成像应用

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激光与光电子学进展 2021年第22期58卷 84-92页

作者：王泽宇李辰辰高一强孙浩杨明辉孙晓玮中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210

以主动式毫米波全息成像的应用为背景,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制的异质结AlGaAs/GaAs pin二极管毫米波开关为安检成像领域的关键核心器件,为此提出一种基于高、低阻抗变换线的补偿结构以优化高频处的匹配程度。设计合... 详细信息

以主动式毫米波全息成像的应用为背景,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制的异质结AlGaAs/GaAs pin二极管毫米波开关为安检成像领域的关键核心器件,为此提出一种基于高、低阻抗变换线的补偿结构以优化高频处的匹配程度。设计合适的毫米波倍频链路、低插入损耗的带通滤波器以及低插入损耗和高隔离度的开关通道阵列,实现一款满足系统要求的输出功率和一致性且谐波抑制良好的发射前端。结果表明,在28~34 GHz频段内,各通道的输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于22 dBc,通道间的隔离度大于23 dB,通道间的差异小于2 dB,满足主动成像发射端的要求。集成相应天线阵列和接收前端后进行成像实验,可以得到分辨率为0.5 cm的毫米波成像。

关键词：光学设计毫米波成像 pin二极管开关宽带散射参数功率发射

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高品质因数SiC pin二极管的研制

大功率变流技术 2016年第5期 55-58页

作者：吴佳王弋宇杨程史晶晶新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001

基于Silvaco仿真得到3 300 V SiC pin二极管器件优化结构,开展了SiC刻蚀工艺和欧姆接触工艺研发,制备出具有倾角为48°的缓变台面结构和比接触电阻率在10-5Ω·cm^2量级的欧姆接触的SiC pin二极管。所研制出的pin器件最高反向阻断能力达... 详细信息

基于Silvaco仿真得到3 300 V SiC pin二极管器件优化结构,开展了SiC刻蚀工艺和欧姆接触工艺研发,制备出具有倾角为48°的缓变台面结构和比接触电阻率在10-5Ω·cm^2量级的欧姆接触的SiC pin二极管。所研制出的pin器件最高反向阻断能力达到4 000 V,在100 A/cm^2的正向电流密度下正向导通压降为3.4 V。该器件的品质因数(FOM)达到2 461 MW/cm^2,目前在国内处于领先水平。

关键词：碳化硅 pin二极管品质因数刻蚀工艺欧姆接触

一种加载pin二极管的可调超表面单元及动态孔径设计

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一种加载PIN二极管的可调超表面单元及动态孔径设计

2018年全国微波毫米波会议

作者：李商洋徐丰复旦大学电磁波信息科学教育部重点实验室

本文提出了一种可调超表面单元及其组成的动态超表面孔径,超表面单元采用在微带传输线上光刻互补电场耦合谐振器（cELC）,cELC的容性间隙之间加载了两个pin二极管,通过控制pin二极管的通断可以实现超表面单元在辐射态和非辐射态之间切... 详细信息

本文提出了一种可调超表面单元及其组成的动态超表面孔径,超表面单元采用在微带传输线上光刻互补电场耦合谐振器（cELC）,cELC的容性间隙之间加载了两个pin二极管,通过控制pin二极管的通断可以实现超表面单元在辐射态和非辐射态之间切换。与传统的cELC超表面单元不同,本文提出的新型超表面单元谐振时,表面电流主要分布于cELC单元的辐射缝隙周围而不是集中于单元中心的金属部分,因而降低了超表面单元的欧姆损耗。利用该超表面单元构成的动态孔径在动态波束形成,电磁成像,安检等方面具有潜在的应用价值。

关键词： cELC pin二极管动态超材料

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基于集总电荷的pin二极管反向恢复模型

低压电器 2013年第10期 30-33,47页

作者：王润岑张佳佳叶尚斌张逸成姚勇涛同济大学电子与信息工程学院上海201804

以MUR8100pin二极管为对象,研究了pin二极管模型参数抽取的试验方法和试验手段。在小电压等级下,利用试验抽取的二极管模型参数建立其反向恢复模型,并用仿真软件Saber验证了模型的正确性。最后,分析了影响模型精度的近似条件和物理效应。

关键词： pin二极管反向恢复集总电荷参数抽取

一种基于pin型二极管具有电磁防护特性的新型频率选择表面

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一种基于PIN型二极管具有电磁防护特性的新型频率选择表面

2013年全国天线年会

作者：喻易强王龙华东交通大学信息工程学院达尔豪斯大学电气与计算机工程学院

本文基于pin二极管的高频电磁特性,设计了一款工作在S波段（2～4GHZ）具有电磁防护特性的新型频率选择表面。当小功率信号入射时,该结构对于工作频段内的不同极化方式和不同入射角度的入射波展现出了较稳定的带通特性;当大功率信号入射... 详细信息

本文基于pin二极管的高频电磁特性,设计了一款工作在S波段（2～4GHZ）具有电磁防护特性的新型频率选择表面。当小功率信号入射时,该结构对于工作频段内的不同极化方式和不同入射角度的入射波展现出了较稳定的带通特性;当大功率信号入射时,该结构可实现自适应开关的功能,在工作频段内呈现出全反射的特性,避免恶意电磁攻击及环境强电磁噪声对设备电路的破坏,从而为雷达系统、无线通信设备及网路提供有效的电磁防护。

关键词：频率选择表面电磁防护特性 pin二极管开关转换

基于pin二极管能量选择表面的时域仿真分析

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基于PIN二极管能量选择表面的时域仿真分析

2021年全国微波毫米波会议

作者：韩昌霖韦金红张守龙张金颢西北核技术研究所

本文通过pin二极管的spice模型,结合场路联合仿真方法,设计并建立一种基于pin二极管的能量选择表面（ESS）时域仿真模型,仿真并分析了能量选择表面对不同前沿脉宽高斯脉冲的响应。分析结果表明,本文所设计的能量选择表面对于前沿较慢,... 详细信息

本文通过pin二极管的spice模型,结合场路联合仿真方法,设计并建立一种基于pin二极管的能量选择表面（ESS）时域仿真模型,仿真并分析了能量选择表面对不同前沿脉宽高斯脉冲的响应。分析结果表明,本文所设计的能量选择表面对于前沿较慢,脉宽较宽的高斯脉冲防护效果较好,对于前沿快,脉宽窄的高斯脉冲防护效果不佳。仿真结果为能量选择表面在瞬态电磁脉冲防护领域的应用提供了参考。

关键词： pin二极管能量选择表面高斯脉冲

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基于pin管的1-bit波束可重构反射阵

现代雷达 2024年第4期46卷 82-87页

作者：陆倩于映南京邮电大学集成电路科学与工程学院江苏南京210023

针对传统反射阵列天线不能灵活地进行波束转向,无法满足部分应用场景需求这一问题,文中设计、制作并测试了一种具有12×12个反射单元的1-bit波束可重构反射阵列。通过在两个尺寸相同的L形结构中间加载pin二极管实现1位可重构单元,采用An... 详细信息

针对传统反射阵列天线不能灵活地进行波束转向,无法满足部分应用场景需求这一问题,文中设计、制作并测试了一种具有12×12个反射单元的1-bit波束可重构反射阵列。通过在两个尺寸相同的L形结构中间加载pin二极管实现1位可重构单元,采用Ansys HFSS 15对该单元进行建模和仿真,在4.36 GHz~5.06 GHz频率范围内,单元在pin二极管导通和断开两种状态下的相位差在180°±25°范围内,并在4.46 GHz和4.96 GHz两个频率下,具有180°相位差。对4.96 GHz进行验证,通过数字控制板独立调节每个pin二极管,从而实现所需的相位分布。仿真和测试结果表明反射阵可以在4.96 GHz的中心频率下实现±50°范围内的波束扫描,并且在4.76 GHz~5.46 GHz频率范围内,具有相对良好的波束扫描性能。此外,反射阵采用镜面对称排布方式以改善交叉极化,实测交叉极化为-26.7 dB,相比较传统排布方式,交叉极化峰值降低了15.2 dB。

关键词：可重构 pin二极管波束扫描交叉极化反射阵